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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請的專利溫度補(bǔ)償分布圖的形成方法及系統(tǒng)、溫度補(bǔ)償方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116934668B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210375682.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06T7/00；該發(fā)明授權(quán)溫度補(bǔ)償分布圖的形成方法及系統(tǒng)、溫度補(bǔ)償方法是由柯星;紀(jì)世良;張海洋設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-04-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本溫度補(bǔ)償分布圖的形成方法及系統(tǒng)、溫度補(bǔ)償方法在說明書摘要公布了：一種溫度補(bǔ)償分布圖的形成方法及系統(tǒng)、溫度補(bǔ)償方法，其中方法包括：獲取晶圓平面，所述晶圓平面包括邊緣輪廓、以及由所述邊緣輪廓圍成溫度補(bǔ)償區(qū)域；獲取所述溫度補(bǔ)償區(qū)域的第一溫度補(bǔ)償分布圖，所述第一溫度補(bǔ)償分布圖中具有若干呈網(wǎng)格矩陣分布的第一補(bǔ)償點(diǎn)位，每個所述第一補(bǔ)償點(diǎn)位對應(yīng)第一溫度補(bǔ)償值；在所述邊緣輪廓上獲取若干第二補(bǔ)償位點(diǎn)；根據(jù)所述第一溫度補(bǔ)償分布圖，獲取每個所述第二補(bǔ)償位點(diǎn)對應(yīng)的第二溫度補(bǔ)償值，形成第二溫度補(bǔ)償分布圖，由所述第一溫度補(bǔ)償分布圖和所述第二溫度補(bǔ)償分布圖，形成所述溫度補(bǔ)償分布圖。通過所述第二溫度補(bǔ)償分布圖能夠?qū)A的邊緣區(qū)域進(jìn)行對應(yīng)的溫度補(bǔ)償，進(jìn)而有效提升經(jīng)過刻蝕后器件尺寸的均一性。

本發(fā)明授權(quán)溫度補(bǔ)償分布圖的形成方法及系統(tǒng)、溫度補(bǔ)償方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種溫度補(bǔ)償分布圖的形成方法，其特征在于，包括： 獲取晶圓平面，所述晶圓平面包括邊緣輪廓、以及由所述邊緣輪廓圍成溫度補(bǔ)償區(qū)域，所述補(bǔ)償區(qū)域包括中心區(qū)以及包圍所述中心區(qū)的邊緣區(qū)； 對位于所述中心區(qū)器件結(jié)構(gòu)的特征尺寸、以及和位于所述邊緣區(qū)器件結(jié)構(gòu)的特征尺寸進(jìn)行測量，獲取所述溫度補(bǔ)償區(qū)域的第一溫度補(bǔ)償分布圖，所述第一溫度補(bǔ)償分布圖中具有若干呈網(wǎng)格矩陣分布的第一補(bǔ)償點(diǎn)位，每個所述第一補(bǔ)償點(diǎn)位對應(yīng)第一溫度補(bǔ)償值； 在所述邊緣輪廓上獲取若干第二補(bǔ)償位點(diǎn)； 根據(jù)所述第一溫度補(bǔ)償分布圖，獲取每個所述第二補(bǔ)償位點(diǎn)對應(yīng)的第二溫度補(bǔ)償值，形成第二溫度補(bǔ)償分布圖； 對所述第一溫度補(bǔ)償分布圖進(jìn)行增補(bǔ)處理，形成第三溫度補(bǔ)償分布圖，所述第三溫度補(bǔ)償分布圖中具有若干第三補(bǔ)償位點(diǎn)，每個所述第三補(bǔ)償點(diǎn)位對應(yīng)第三溫度補(bǔ)償值； 由所述第二溫度補(bǔ)償分布圖和所述第三溫度補(bǔ)償分布圖，形成所述溫度補(bǔ)償分布圖，以提升位于所述中心區(qū)器件結(jié)構(gòu)的特征尺寸、以及和位于所述邊緣區(qū)器件結(jié)構(gòu)的特征尺寸的均一性。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。