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龍圖騰網獲悉深圳市斑巖光子技術有限公司申請的專利具有周期性泵浦結構的表面刻蝕光柵半導體激光器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116417906B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111671737.2，技術領域涉及：H01S5/22；該發明授權具有周期性泵浦結構的表面刻蝕光柵半導體激光器是由吳芳;唐涌波;克里斯托·弗華生;克里歐·匹米諾夫;優瑞·羅格溫設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有周期性泵浦結構的表面刻蝕光柵半導體激光器在說明書摘要公布了：本申請涉及一種具有周期性泵浦結構的表面刻蝕光柵半導體激光器，所述結構包括依次層疊的底層摻雜介質層、多量子阱有源層、脊形摻雜介質層，以及形成于所述脊形摻雜介質層上的周期性光柵溝槽結構和與光柵溝槽之間的電接觸區域形成歐姆電接觸的頂面電接觸層。載流子經周期性電接觸層注入，流經電接觸區域，到達光柵溝槽底部后橫向擴散，并繼續擴散至多量子阱有源層。在均勻分布時可實現基于折射率調制的激光器；在非均勻分布時，引入附加增益調制從而實現混合調制的激光器。本申請在有效提高半導體激光器的性能穩定性的前提下，降低其制造成本，并提高其良率及可靠性。

本發明授權具有周期性泵浦結構的表面刻蝕光柵半導體激光器在權利要求書中公布了：1.一種脊形激光器結構，其特征在于，包括依次層疊的底層摻雜介質層、多量子阱有源層、脊形摻雜介質層，以及形成于所述脊形摻雜介質層內的光柵結構和位于所述光柵結構頂面的頂面電極層； 所述光柵結構包括多個沿所述激光器的波導方向周期性間隔分布的光柵溝槽及所述光柵溝槽之間的周期性的電接觸區域，并且所述光柵溝槽內有至少覆蓋所述光柵溝槽的側壁的絕緣層；所述脊形摻雜介質層在所述多量子阱有源層頂面的正投影位于所述多量子阱有源層頂面的內部；所述光柵溝槽未貫穿所述脊形摻雜介質層的側壁，相鄰所述光柵溝槽之間的脊形摻雜介質層用于構成所述電接觸區域； 頂面齊平的所述頂面電極層與所述周期性電接觸區域的頂面形成歐姆電接觸； 其中，經由所述頂面電極層注入的載流子向下依次流經所述電接觸區域和脊型摻雜介質層后進入所述多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的注入載流子因絕緣的光柵溝槽的存在而呈現出特定載流子密度分布區域；所述光柵結構引入的折射率調制、所述頂面電極層引入的增益調制，相位一致。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市斑巖光子技術有限公司，其通訊地址為：518051 廣東省深圳市南山區前海深港合作區南山街道桂灣片區二單元前海卓越金融中心(一期)8號樓805；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。