鄭州合晶硅材料有限公司吳泓明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉鄭州合晶硅材料有限公司申請的專利一種硅片載盤及改善重摻雙拋光片損傷層的制備工藝獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114267618B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111461567.5,技術領域涉及:H01L21/673;該發明授權一種硅片載盤及改善重摻雙拋光片損傷層的制備工藝是由吳泓明;鐘佑生;洪育維;李少華設計研發完成,并于2021-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種硅片載盤及改善重摻雙拋光片損傷層的制備工藝在說明書摘要公布了:本申請屬于集成電路中的硅片(晶圓)制造技術領域,具體涉及一種硅片載盤及利用該載盤改善重摻雙拋光片損傷層的制備工藝。該硅片載盤相較于現有載盤結構,在現有圓形卡槽的中心增加了圓形凹槽的設計,具體載盤結構包括:作為整個結構承重的矩形承載底座,和設于矩形承載底座中部的用于放置硅片的圓形卡槽;在圓形卡槽的內部的承載底座上開設有圓形凹槽;同時,在圓形卡槽的內部的承載底座上設有貫通承載底座的定位槽(也叫定位pin槽)及導熱槽。本申請通過調整硅片載盤的結構設計、硅片的受熱改為對流及輻射方式,并結合此設備改進對改善重摻雙拋光片正面(拋光面)損傷層的制備工藝進行了相關改進,有效降低了硅片表面顆粒。
本發明授權一種硅片載盤及改善重摻雙拋光片損傷層的制備工藝在權利要求書中公布了:1.一種重摻雙拋光硅片正面損傷層制備用硅片載盤,其特征在于,在圓形卡槽的中心設計有圓形凹槽,具體載盤結構包括:作為整個結構承重的矩形承載底座,和設于矩形承載底座中部的用于放置硅片的圓形卡槽; 在圓形卡槽的內部的承載底座上開設有圓形凹槽;同時,在圓形卡槽的內部的承載底座上設有貫通承載底座的定位槽及導熱槽; 所述定位槽,為定位“針”通過此槽口來對硅片進行上升及下降的動作的通孔; 所述導熱槽,為用來加強對硅片正面的熱輻射的通孔; 所述定位槽,定位槽沿圓形卡槽的內部的承載底座上均勻布設,定位槽設計為3個,3個定位槽位于同一圓周線上,且相鄰兩個定位槽之間夾角為120°; 所述導熱槽,導熱槽沿圓形卡槽的內部的承載底座上均勻布設,導熱槽設計為9個,其中一個設于沿圓形卡槽的圓心處,其余8個沿此圓心圍繞形成一個正方形; 具體規格設計時,圓形卡槽深度A1設計為5.5mm~7.5mm,圓形卡槽內直徑Φ1設計為300~305mm; 中心圓形凹槽深度B1設計為3.0mm~6.0mm,圓形凹槽內直徑Φ2設計為200mm~280mm;導熱槽口直徑Φ3設計為0.5mm~1.5mm,定位槽口直徑Φ4設計為2.0mm~3.0mm;矩形承載底座為長方形,規格為:長:310~320mm,寬:470~500mm。
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