廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院;澳芯集成電路技術(廣東)有限公司張驥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院;澳芯集成電路技術(廣東)有限公司申請的專利一種背柵調制器件及其制備方法、存儲器、邏輯器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113921612B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111176475.2，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權一種背柵調制器件及其制備方法、存儲器、邏輯器件是由張驥;葉甜春;羅軍;趙杰設計研發完成，并于2021-10-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種背柵調制器件及其制備方法、存儲器、邏輯器件在說明書摘要公布了：本發明提供了一種背柵調制器件及其制備方法、存儲器、邏輯器件，其中背柵調制器件可包括但不限于硅襯底、ONO層、單晶硅層、柵極、第一側墻、第二側墻、第一源漏極及第二源漏極。ONO層填充于硅襯底上形成的空腔內，單晶硅層形成于ONO層上，柵極形成于單晶硅層上，第一側墻環繞在柵極的側壁周圍，設置于單晶硅層上，第二側墻環繞在第一側墻的側壁周圍，設置于單晶硅層上；第一源漏極設置于硅襯底上，處于單晶硅層的一旁側；第二源漏極設置于硅襯底上，處于單晶硅層的另一旁側。本發明能夠根據實際需要通過犧牲層和襯底的厚度靈活地控制單晶硅層和ONO結構的厚度，從而最大程度地發揮出背柵調制器件的性能，并能夠有效降低器件成本。
本發明授權一種背柵調制器件及其制備方法、存儲器、邏輯器件在權利要求書中公布了：1.一種背柵調制器件的制備方法，其特征在于，包括： 提供硅襯底； 在所述硅襯底中形成淺槽隔離結構； 在由所述淺槽隔離結構包圍的硅襯底的表面外延生長出一層犧牲層，以及在所述犧牲層上形成單晶硅層； 在所述單晶硅層上形成柵極，以及在所述柵極的側壁上形成第一側墻和在所述第一側墻的側壁上形成第二側墻； 通過依次垂直刻蝕所述單晶硅層和所述犧牲層的方式露出所述犧牲層； 通過刻蝕掉所述犧牲層形成空腔，并露出所述硅襯底和所述單晶硅層； 在所述硅襯底與所述單晶硅層之間的所述空腔中形成ONO層； 在所述淺槽隔離結構圍成的硅襯底區域內形成第一源漏極和第二源漏極。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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