旺宏電子股份有限公司賴二琨獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉旺宏電子股份有限公司申請的專利垂直存儲結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115206990B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110811285.7,技術(shù)領域涉及:H10B43/27;該發(fā)明授權(quán)垂直存儲結(jié)構(gòu)是由賴二琨;龍翔瀾設計研發(fā)完成,并于2021-07-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本垂直存儲結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了:本公開有關于一種垂直存儲結(jié)構(gòu),存儲裝置實現(xiàn)于垂直存儲結(jié)構(gòu)中,包含交替的絕緣材料層與字線材料層的疊層,具有設置為通過疊層的包含交替的導電柱與絕緣柱的柱體組。數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu)設置于絕緣柱與字線材料層的交叉點上的字線材料層的內(nèi)表面上。半導體通道材料設置于絕緣柱與數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu)之間且位于絕緣柱與字線材料層的交叉點上。半導體通道材料繞著絕緣柱的外表面延伸,在兩側(cè)接觸相鄰導電柱以提供源極漏極端子。
本發(fā)明授權(quán)垂直存儲結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種垂直存儲結(jié)構(gòu),其特征在于,包含: 一疊層,包含交替的多個絕緣材料層與多個字線材料層; 一柱體組,設置為通過該疊層且包含的交替的多個導電柱與多個絕緣柱,該柱體組至少包含一第一導電柱、相鄰于該第一導電柱的一第一絕緣柱與相鄰于該第一絕緣柱的一第二導電柱,其中該第一絕緣柱的一外表面在平行于這些字線材料層的一平面上為弓形的arcuate; 多個數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu),設置于該第一絕緣柱與這些字線材料層的多個交叉點上的這些字線材料層的多個內(nèi)表面上;以及 一半導體通道材料,介于該第一絕緣柱與這些數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu)之間且在該第一絕緣柱與這些字線材料層的這些交叉點上,該半導體通道材料圍繞著該第一絕緣柱的該外表面延伸且接觸該第一導電柱與該第二導電柱,其中,相鄰于該第一絕緣柱的這些字線材料層的這些內(nèi)表面相對于相鄰于該第一絕緣柱的這些絕緣材料層的多個內(nèi)表面是凹陷的,以形成介于這些絕緣材料層之間的多個凹室,且其中該半導體通道材料與這些數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu)設置于這些凹室中。
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