買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉廣州集成電路技術研究院有限公司申請的專利一種半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115249747B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110470109.1，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權一種半導體器件及其制造方法是由張峰溢;蘇廷锜;蔡尚元;林盈志設計研發完成，并于2021-04-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：一種半導體器件及其制造方法。所述半導體器件包括：襯底，所述襯底上方形成有源結構和柵極結構；蝕刻阻擋層，形成于兩個所述柵極結構之間；所述蝕刻阻擋層與所述有源結構間隔開以形成擴充空間，所述擴充空間內填充有接觸結構。所述制備方法中通過在蝕刻阻擋層和有源結構之間形成偽介質層，然后通過蝕刻將其去除后，可在蝕刻阻擋層和有源結構之間形成可供接觸結構延展進入的擴充空間，從而擴大有源結構與接觸結構的抵接面積，減少接觸電阻。

本發明授權一種半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步驟： 步驟S1、提供一具有柵極結構3和多個有源結構2的襯底1，所述柵極結構3形成于有源結構2上方，多個有源結構頂部呈現不規則結構，多個有源結構體積大小不同； 步驟S2、形成覆蓋襯底1、有源結構2和柵極結構3的第一介質層4； 步驟S3、將第一介質層4蝕刻成僅覆蓋在有源結構2和襯底1上的偽介質層44； 所述步驟S3包括如下步驟： 步驟S3a、在有源結構2和襯底1對應的第一介質層4的上方淀積圖案化的光刻層5； 步驟S3b、去除暴露于光刻層5外的第一介質層4； 步驟S3c、去除光刻層5與柵極結構3的側墻31之間的第一介質層4； 步驟S3d、去除柵極結構3的側墻31與有源結構2之間的第一介質層4； 步驟S3e、去除光刻層5，形成僅覆蓋在有源結構2和襯底1上的且與柵極結構3間隔開的偽介質層44； 步驟S4、在襯底1、有源結構2、柵極結構3和偽介質層44上方淀積蝕刻阻擋層6； 步驟S5、在蝕刻阻擋層6上方淀積第二介質層7； 步驟S6、對柵極結構3、蝕刻阻擋層6和第二介質層7進行平坦化，得到第一中間產品； 步驟S8、在所述第一中間產品的上表面形成覆蓋層8； 步驟S9、通過蝕刻去除部分的覆蓋層8、第二介質層7和蝕刻阻擋層6，在有源結構的上方形成接觸開孔200，得到第二中間產品； 步驟S12、通過蝕刻去除偽介質層44以形成可供接觸結構10延展進入的擴充空間300；外露的偽介質層44被完全去除，同時至少一部分夾于有源結構2和蝕刻阻擋層6之間的偽介質層44被去除以形成所述擴充空間300； 步驟S13、在所述接觸開孔200和所述擴充空間300中填充金屬材料以形成接觸結構10。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣州集成電路技術研究院有限公司，其通訊地址為：511300 廣東省廣州市增城區寧西街創新大道16號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。