三星電子株式會(huì)社李洙龍獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN113223977B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202110022696.8,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/66;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置的制造方法是由李洙龍;姜旻澈;姜奉秀;李智庸設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-01-08向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本半導(dǎo)體裝置的制造方法在說明書摘要公布了:提供了一種制造半導(dǎo)體裝置的方法。所述方法包括:形成下模制件,下模制件具有堆疊在基底上的下層和穿過下層的下溝道結(jié)構(gòu);形成上模制件,上模制件包括堆疊在下模制件上的上層和穿過上層的上溝道結(jié)構(gòu);去除上模制件以使下模制件的上表面暴露;從捕獲下模制件的上表面的原始圖像分離其中顯示上溝道結(jié)構(gòu)的跡線的上原始圖像與其中顯示下溝道結(jié)構(gòu)的下原始圖像;將上原始圖像輸入到學(xué)習(xí)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中以獲取其中顯示上溝道結(jié)構(gòu)的剖面的上恢復(fù)圖像;以及將上恢復(fù)圖像與下原始圖像進(jìn)行比較以驗(yàn)證上模制件和下模制件的對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法,所述方法包括以下步驟: 形成下模制件,所述下模制件具有堆疊在基底上的下層和穿過所述下層的下溝道結(jié)構(gòu); 形成上模制件,所述上模制件包括堆疊在所述下模制件上的上層和穿過所述上層的上溝道結(jié)構(gòu); 去除所述上模制件以使所述下模制件的上表面暴露; 從捕獲所述下模制件的所述上表面的原始圖像分離出顯示所述上溝道結(jié)構(gòu)的跡線的上原始圖像與顯示所述下溝道結(jié)構(gòu)的下原始圖像; 將所述上原始圖像輸入到神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中以獲取顯示所述上溝道結(jié)構(gòu)的剖面的上恢復(fù)圖像;以及 將所述上恢復(fù)圖像與所述下原始圖像進(jìn)行比較以驗(yàn)證所述上模制件和所述下模制件的對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人三星電子株式會(huì)社,其通訊地址為:韓國京畿道水原市;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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