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龍圖騰網獲悉電光-IC股份有限公司申請的專利包括單片集成的光電二極管和跨阻放大器的光接收器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114788018B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080086451.5，技術領域涉及：H10F77/124；該發明授權包括單片集成的光電二極管和跨阻放大器的光接收器是由勞倫斯·E·塔洛夫;威廉·A·哈格利;戈德蒙·A·哈爾特森;約翰·威廉·米切爾·羅杰斯設計研發完成，并于2020-12-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本包括單片集成的光電二極管和跨阻放大器的光接收器在說明書摘要公布了：一種光接收器包括單片集成的針狀光電二極管PIN和跨阻放大器TIA。所述TIA包括InP異質結雙極晶體管HBT,其由生長在SI:InP襯底上的外延層堆疊的第一多個層制成；所述PIN由所述外延層堆疊的第二多個層制成。所述PIN的p型觸點垂直連接到所述TIA的輸入，以降低PIN電容CPIN。所述TIA電容CTIA可以被蝕刻到CPIN。將包括吸收層的厚度、窗口面積和任選的所述PIN的鏡面厚度、裝置電容CPIN+CTIA和所述TIA的反饋電阻RF的裝置參數優化為包括在工作波長下的特定靈敏度和響應度的性能規格。這種設計方法能夠經濟高效地制造集成PIN?TIA，用于10G?PONONU的1577nm接收器等應用。

本發明授權包括單片集成的光電二極管和跨阻放大器的光接收器在權利要求書中公布了：1.一種光接收器，包括單片集成的光電二極管PD和跨阻放大器TIA，其中： 在半絕緣SI磷化銦InP襯底上形成有外延層堆疊，所述外延層堆疊包含形成于所述半絕緣磷化銦襯底上的第一多個半導體層，以及位于所述第一多個半導體層頂部的第二多個半導體層； 所述跨阻放大器包括由所述第一多個半導體層形成的磷化銦異質結雙極晶體管HBT； 所述光電二極管包括由所述外延層堆疊的所述第二多個半導體層形成的PIN二極管,包括n層、i層和p層；以及 所述PIN二極管為具有頂面窗口的垂直PIN二極管，或為具有側面窗口的波導PIN二極管； 所述PIN二極管的p型觸點通過導電跡線直接互連到所述跨阻放大器的輸入，以提供所述PIN二極管的裝置電容CPIN和所述跨阻放大器的電容CTIA；且 選擇包括CPIN、CTIA、所述i層的厚度ti、所述PIN二極管的面積和所述跨阻放大器的跨阻抗反饋電阻RF的值的裝置參數，以提供滿足性能規范的集成PIN-TIA，包括在工作波長下的指定靈敏度和指定響應度。

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