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龍圖騰網獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利用于制造具有移動結構的微機電裝置、特別是微鏡的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110894060B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910858240.8，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權用于制造具有移動結構的微機電裝置、特別是微鏡的方法是由S·克斯坦蒂尼;D·阿斯薩內利;A·L·博爾托洛蒂;M·維梅爾卡蒂;I·瓦里斯科設計研發完成，并于2019-09-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于制造具有移動結構的微機電裝置、特別是微鏡的方法在說明書摘要公布了：本申請的實施方式涉及用于制造具有移動結構的微機電裝置、特別是微鏡的方法。底部半導體區域被形成為包括：主子區域，延伸穿過覆蓋半導體晶片的底部介電區域；以及次子區域，次子區域覆蓋底部介電區域并圍繞主子區域。第一頂部腔室和第二頂部腔室被形成為穿過晶片，界定固定本體和圖案化結構，圖案化結構包括與主子區域接觸的中心部分以及與底部介電區域接觸的可變形部分。底部腔室穿過底部半導體區域形成，直到底部介電區域，底部腔室側向界定包括主子區域的加強區域并且留下暴露的部分底部介電區域和界定第一頂部腔室和第二頂部腔室的部分底部介電區域，暴露的部分底部介電區域與可變形部分接觸。留下來由底部腔室暴露的部分被選擇性地移除。

本發明授權用于制造具有移動結構的微機電裝置、特別是微鏡的方法在權利要求書中公布了：1.一種用于制造微機電裝置的方法，包括： 通過前表面和后表面界定第一半導體晶片； 利用底部介電區域覆蓋所述后表面； 穿過所述底部介電區域形成至少一個第一底部窗口； 形成底部半導體區域，所述底部半導體區域包括至少一個第一主子區域和次子區域，所述第一主子區域延伸穿過所述第一底部窗口并與所述第一半導體晶片接觸，所述次子區域覆蓋所述底部介電區域并且側向圍繞所述第一主子區域； 從所述前表面開始選擇性地去除部分所述第一半導體晶片，以便形成第一頂部腔室和第二頂部腔室，所述第一頂部腔室和所述第二頂部腔室延伸至所述底部介電區域并且側向界定固定支撐本體和圖案化結構，所述圖案化結構包括中心部分和與所述底部介電區域接觸的多個可變形部分，所述中心部分接觸所述底部半導體區域的所述第一主子區域，所述可變形部分被插入在所述中心部分和所述固定支撐本體之間； 選擇性地去除部分所述底部半導體區域，以便形成底部腔室，所述底部腔室延伸穿過所述底部半導體區域直至所述底部介電區域，并且側向界定包括所述底部半導體區域的所述第一主子區域的加強區域，所述底部腔室也側向延伸，以暴露與所述可變形部分接觸的部分所述底部介電區域和界定所述第一頂部腔室和所述第二頂部腔室的部分所述底部介電區域；以及 選擇性地移除由所述底部腔室暴露的部分所述底部介電區域，使得所述第一頂部腔室和所述第二頂部腔室以及所述底部腔室形成整個腔室，所述圖案化結構被懸掛在所述整個腔室內部。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體股份有限公司，其通訊地址為：意大利阿格拉布里安扎；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。