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龍圖騰網獲悉微玖(蘇州)光電科技有限公司申請的專利一種改善AlGaInP紅光Micro LED芯片散熱性能的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120302776B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510775235.6，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權一種改善AlGaInP紅光Micro LED芯片散熱性能的方法是由黃振;鐘冠倫;方其超;王月;王程功;鄭鵬遠;張宇設計研發完成，并于2025-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種改善AlGaInP紅光Micro LED芯片散熱性能的方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種改善AlGaInP紅光MicroLED芯片散熱性能的方法，包括如下步驟：S1，外延結構制備：襯底與緩沖層處理、刻蝕阻擋層與歐姆接觸層生長、功能層堆疊外延；S2，硅基襯底圖形化：介質層與金屬結構制備；S3,金剛石歐姆接觸層集成：p型導電金剛石膜層加工、金屬反射與鍵合；S4,襯底去除與n型結構形成：襯底剝離與n型接觸；S5,后段工藝集成：電極與光學結構制備；本申請的芯片散熱性能顯著提升；串聯電阻降低30%?50%；pn型金剛石歐姆接觸層電阻率較ITO降低1?2個數量級；避免了GaAs材料吸光與金屬遮光，結合微透鏡陣列，紅光透過率從75%提升至90%以上；兼容現有MOCVD、CVD及光刻工藝，可實現2?12寸晶圓規模化生產，降低制造成本。

本發明授權一種改善AlGaInP紅光Micro LED芯片散熱性能的方法在權利要求書中公布了：1.一種改善AlGaInP紅光MicroLED芯片散熱性能的方法，其特征在于，包括如下步驟： S1,外延結構制備： 襯底與緩沖層處理：選用n型GaAs襯底，清洗后通過MOCVD外延生長n型GaAs緩沖層，控制摻雜濃度、厚度及溫度； 刻蝕阻擋層與歐姆接觸層生長：在緩沖層上外延生長n型刻蝕阻擋層，隨后通過MOCVD生長n型GaNInGaN歐姆接觸層； 功能層堆疊外延：在歐姆接觸層上依次外延生長n型AlInP限制層、n型超晶格結構、非摻雜間隔層、量子阱結構、p型間隔層、p型限制層、p型超晶格、p型漸變層及p型重摻雜層，精確控制各層參數； S2，硅基襯底圖形化： 介質層與金屬結構制備：清洗硅晶圓硅基CMOS，通過PECVD沉積介質層，光刻形成Cr金屬掩膜，刻蝕后濺射種子層并電鍍Cu金屬，經CMP拋光，對介質層和Cu金屬的高度差以及介質層的均方根粗糙度進行測量以確保在要求范圍內； S3,金剛石歐姆接觸層集成： p型導電金剛石膜層加工：清洗外延片后，通過CVDPVD生長p型導電金剛石膜層，光刻刻蝕形成mesa結構，刻透量子阱結構，ALE修復側壁損傷并沉積鈍化層； 金屬反射與鍵合：刻蝕鈍化層開孔至p型導電金剛石膜層，沉積金屬反射層，PECVD制備保護層，背面沉積膜層調控翹曲；將硅基襯底與外延結構混合鍵合； S4，襯底去除與n型結構形成： 襯底剝離與n型接觸：刻蝕去除背鍍膜層，濕法腐蝕去除GaAs襯底及緩沖層，暴露n型GaNInGaN層，通過CVDPVD生長n型導電金剛石膜層并刻蝕成型； S5，后段工藝集成： 電極與光學結構制備：沉積金屬電極，通過光刻、刻蝕形成微透鏡陣列或超表面結構，提升光提取效率。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人微玖(蘇州)光電科技有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業園區雙溇里路3號合木·傳奇大廈816室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。