杭州譜析光晶半導體科技有限公司許一力獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州譜析光晶半導體科技有限公司申請的專利一種基于異質結的碳化硅溝槽型MOSFET器件結構及其制備工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120302689B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510765189.1，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權一種基于異質結的碳化硅溝槽型MOSFET器件結構及其制備工藝是由許一力;李鑫;劉倩倩設計研發完成，并于2025-06-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于異質結的碳化硅溝槽型MOSFET器件結構及其制備工藝在說明書摘要公布了：本發明涉及MOS半導體技術領域，且公開了一種基于異質結的碳化硅溝槽型MOSFET器件結構及其制備工藝，包括若干個相互并列的MOS元胞，單個所述MOS元胞包括漏極、源極、柵極以及半導體外延層，所述半導體外延層包括N襯底層、N漂移層、P+層、N阱層以及P阱層，單個所述MOS元胞的上表面且位于柵極的下方開設有溝槽，該溝槽的內部沉積有N+層，所述N+層包括左N+層和右N+層。本發明通過溝槽內分體式左N+層與右N+層的設計，結合中間填充的居中N?層或居中P?層，有效分散溝槽底部的電場集中現象，并且配合阻隔離子泡的直角三角形排列，進一步抑制了N漂移層邊緣的電場峰值，顯著提高器件的擊穿電壓和可靠性，適用于高壓應用場景。
本發明授權一種基于異質結的碳化硅溝槽型MOSFET器件結構及其制備工藝在權利要求書中公布了：1.一種基于異質結的碳化硅溝槽型MOSFET器件結構，包括若干個相互并列的MOS元胞，單個所述MOS元胞包括漏極（1）、源極（2）、柵極（3）以及半導體外延層，所述半導體外延層包括N襯底層（7）、N漂移層（8）、P+層（4）、N阱層（5）以及P阱層（6），其特征在于：單個所述MOS元胞的上表面且位于柵極（3）的下方開設有溝槽，該溝槽的內部沉積有N+層（9），所述N+層（9）包括左N+層（91）和右N+層（92），所述左N+層（91）和右N+層（92）之間通過離子注入形成有填充介質； 單個所述MOS元胞內部N襯底層（7）的截面輪廓呈兩側高凸中間低凹的形狀，單個所述MOS元胞中且位于N襯底層（7）的兩側均設有接觸層，該接觸層與漏極（1）歐姆接觸； 所述填充介質為居中P-層（14），所述接觸層為N型接觸層（13）。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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