上海第二工業大學鐘金鑫獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海第二工業大學申請的專利二元填料非一致性取向結構的絕緣熱界面材料的設計方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120248521B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510755439.3,技術領域涉及:C08L27/16;該發明授權二元填料非一致性取向結構的絕緣熱界面材料的設計方法是由鐘金鑫;王焯玉;王元元;王駿;董嵐;張斌設計研發完成,并于2025-06-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本二元填料非一致性取向結構的絕緣熱界面材料的設計方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種二元填料非一致性取向結構的絕緣熱界面材料的設計方法;該復合熱界面材料由具有特定空間取向的二元填料(金屬填料與電絕緣填料)和有機高分子材料基體組成,其中:所述金屬填料與電絕緣填料通過改變在基底中呈現特定的空間取向(或呈現特定的空間取向角范圍),從而使得填料能在基體中發生熱逾滲且不發生電逾滲現象,進而獲得具有高導熱且電絕緣特性的復合熱界面材料。本發明獲得的熱界面材料具有卓越的延展性,適用于各種熱界面應用。其超強的導熱性和電絕緣特性允許它高效地傳遞多余的熱量,而不會導致器件的電性能問題,如短路或擊穿,從而顯著提升器件性能和壽命。
本發明授權二元填料非一致性取向結構的絕緣熱界面材料的設計方法在權利要求書中公布了:1.一種二元填料非一致性取向結構的絕緣熱界面材料的設計方法,其特征在于,該絕緣熱界面材料由具有特定空間取向的二元填料和有機高分子材料基體組成,二元填料包括金屬填料和電絕緣填料;具體步驟如下: 步驟一、將有機高分子基底無量綱化為1*1*1的立方體,將一定體積分數的二元填料隨機分散在有機高分子材料基體中,利用數值模擬手段實現復合熱界面材料體系的模擬; 步驟二、設定熱傳導方向為x向,設定金屬填料空間取向角和y方向、電絕緣填料空間取向角和熱傳導方向之間呈現的角度,施加邊界條件判斷,即將沿著熱傳導方向超出區域的填料進行截斷處理,沿著垂直熱傳導方向超出區域的填料進行截斷并周期平移到立方體內; 步驟三、在熱傳導方向上設計復合熱界面材料的電輸運通道和熱輸運通道,調控內部金屬填料與電絕緣填料的材料、長徑比、空間取向角和填料填充到有機高分子基底中的體積分數的設計參數中的一種或多種,通過數值模擬計算,當復合熱界面材料的熱導率的范圍在5~8Wm-1K-1,電導率的范圍為1×10-5~1×10-3Sm-1時,即完成通過二元填料非一致性取向結構實現高導熱且電絕緣的絕緣熱界面材料的設計;其中: 步驟一中,電絕緣填料的形狀為棒狀,電絕緣填料的長度設計范圍為0.05~1000微米,其直徑設計范圍為0.001~200微米; 步驟二中,電絕緣填料空間取向角與熱傳導方向呈現的角度為0度~60度;金屬填料空間取向角與垂直熱傳導方向呈現的夾角為0度~60度。
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