晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司蔡承佑獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種MIM電容及其制作方法和半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120264780B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510740926.2，技術領域涉及：H10D1/68；該發明授權一種MIM電容及其制作方法和半導體器件是由蔡承佑;宋偉政;丁美平;陸瑩瑩;馬華星設計研發完成，并于2025-06-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種MIM電容及其制作方法和半導體器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種MIM電容及其制作方法和半導體器件，涉及半導體技術領域，其中制作方法包括：提供基底，并在基底上依次形成第一電極層、第一絕緣層、第二電極層和第二絕緣層，以具有第一電極圖形的掩膜層為掩膜，對第一電極層、第一絕緣層、第二電極層和第二絕緣層進行刻蝕，以使第一電極層形成第一電極，對第二絕緣層進行回蝕，以去除第二絕緣層的邊緣部分，使第二絕緣層暴露出第二電極層的邊緣部分，以回刻后的第二絕緣層為掩膜，對第二電極層進行刻蝕，以去除第二電極層的邊緣部分，使第二電極層形成第二電極，從而僅需要使用一張光罩來形成具有第一電極圖形的掩膜層，進而可以降低MIM電容的制作成本，提高MIM電容的制作效率。
本發明授權一種MIM電容及其制作方法和半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種MIM電容的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，并在所述基底上依次形成第一電極層、第一絕緣層、第二電極層和第二絕緣層； 以具有第一電極圖形的掩膜層為掩膜，對所述第一電極層、所述第一絕緣層、所述第二電極層和所述第二絕緣層進行刻蝕，以使所述第一電極層形成第一電極，并使所述第一絕緣層、所述第二電極層和所述第二絕緣層的圖形與所述第一電極的圖形相同； 對所述第二絕緣層進行回刻，以去除所述第二絕緣層的邊緣部分，使所述第二絕緣層暴露出所述第二電極層的邊緣部分； 以回刻后的第二絕緣層為掩膜，對所述第二電極層進行刻蝕，以去除所述第二電極層的邊緣部分，使第二電極層形成第二電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區科創十三街29號院一區2號樓13層1302-C54；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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