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龍圖騰網(wǎng)獲悉無錫博達新能科技有限公司申請的專利中間連接層結(jié)構(gòu)及其制備方法、疊層太陽能電池獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120265012B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510741132.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K39/18；該發(fā)明授權(quán)中間連接層結(jié)構(gòu)及其制備方法、疊層太陽能電池是由請求不公布姓名設計研發(fā)完成，并于2025-06-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本中間連接層結(jié)構(gòu)及其制備方法、疊層太陽能電池在說明書摘要公布了：本申請涉及光伏電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種中間連接層結(jié)構(gòu)及其制備方法、疊層太陽能電池。中間連接層結(jié)構(gòu)包括：隧穿結(jié)，包括依次層疊設置的p型重摻雜硅層和p型輕摻雜硅層，p型輕摻雜硅層的表面具有羥基；以及自組裝單分子層，由自組裝單分子層材料與p型輕摻雜硅層表面的羥基反應形成，自組裝單分子層設置于p型輕摻雜硅層的表面。本申請?zhí)峁┑闹虚g連接層結(jié)構(gòu)，自組裝單分子材料與隧穿結(jié)中p型輕摻雜硅層表面的羥基反應形成自組裝單分子層，從而在p型輕摻雜硅層的表面固定負電荷，產(chǎn)生了場鈍化效應，從而降低了表面的載流子復合，減少了載流子的損失，并抑制了因薄膜不致密而造成的漏電現(xiàn)象，進而提高了疊層太陽能電池的器件性能。

本發(fā)明授權(quán)中間連接層結(jié)構(gòu)及其制備方法、疊層太陽能電池在權(quán)利要求書中公布了：1.一種中間連接層結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 隧穿結(jié)，包括依次層疊設置的p型重摻雜硅層和p型輕摻雜硅層，所述p型輕摻雜硅層的表面具有羥基；以及 自組裝單分子層，由自組裝單分子層材料與所述p型輕摻雜硅層表面的羥基反應形成，所述自組裝單分子層設置于所述p型輕摻雜硅層的表面； 所述自組裝單分子層材料選自含氧有機酸和含氧無機酸中的至少一種； 或者，所述自組裝單分子層材料具有第一端基，所述第一端基與所述p型輕摻雜硅層表面的羥基反應形成所述自組裝單分子層，所述第一端基包括三硅醇基、磷酸基、乙酸基、硼酸基、磺酸基、羧酸基、鄰苯二酚、苯酚、巰基和巰乙?；械闹辽僖环N。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人無錫博達新能科技有限公司，其通訊地址為：214111 江蘇省無錫市新吳區(qū)弘毅路11-8-508；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。