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龍圖騰網(wǎng)獲悉徐州金沙江半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種GaN基HEMT外延結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115632061B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210739956.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/85；該發(fā)明授權(quán)一種GaN基HEMT外延結(jié)構(gòu)及其制備方法是由陳明設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-06-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種GaN基HEMT外延結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種GaN基HEMT外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括襯底基板，所述襯底基板上表面外延生長緩沖層；所述緩沖層上表面外延生長溝道層，所述溝道層上表面外延生長勢壘層；所述勢壘層上表面外延生長故意摻雜p型氮化鎵層，所述故意摻雜p型氮化鎵層為周期性結(jié)構(gòu)，所述故意摻雜p型氮化鎵層由自下而上的故意摻雜二茂鎂GaN層、二茂鎂層和未摻雜GaN層依次循環(huán)生長，通過利用鎂原子的擴散效應(yīng)與記憶效應(yīng)，實現(xiàn)鎂原子在故意摻雜p型氮化鎵層中的均勻分布，減少鎂原子在結(jié)構(gòu)中的團簇現(xiàn)象，能有效增加p型層的空穴濃度，并且不使得GaN晶圓的外觀與p型層的晶體質(zhì)量變差，也不影響后續(xù)器件制作過程中的歐姆接觸。

本發(fā)明授權(quán)一種GaN基HEMT外延結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種GaN基HEMT外延結(jié)構(gòu)，包括襯底基板1，其特征在于：所述襯底基板1上表面外延生長緩沖層2；所述緩沖層2上表面外延生長溝道層3，所述溝道層3上表面外延生長勢壘層4；所述勢壘層4上表面外延生長故意摻雜p型氮化鎵層5，所述故意摻雜p型氮化鎵層5為周期性結(jié)構(gòu)，所述故意摻雜p型氮化鎵層5由自下而上的故意摻雜二茂鎂GaN層51、二茂鎂層52和未摻雜GaN層53依次循環(huán)生長。

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