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龍圖騰網獲悉國家納米科學中心申請的專利一種自支撐薄膜面內熱導率的測量方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114935584B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210459837.7，技術領域涉及：G01N25/20；該發明授權一種自支撐薄膜面內熱導率的測量方法是由王漢夫;褚衛國;王東偉;熊玉峰;徐波;郭令舉設計研發完成，并于2022-04-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種自支撐薄膜面內熱導率的測量方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種自支撐薄膜面內熱導率的測量方法，所述測量方法包括以下步驟：1根據待測薄膜的關鍵物性參數確定待測薄膜的尺寸和加熱電流的頻率范圍；2根據步驟1所得尺寸選取特定尺寸的待測薄膜，并利用所述待測薄膜和支撐框架制備薄膜?框架復合體；3在步驟2所得薄膜?框架復合體中待測薄膜的一側表面沉積2條相互平行的導電條，分別為第一導電條和第二導電條；4根據步驟1所得加熱電流的頻率范圍，利用步驟3所得導電條，并基于一維熱傳導模型的數據處理方法，測量得出所述待測薄膜的面內熱導率。本發明提供的測量方法簡化了制樣流程，降低了測量成本，提高了測試效率，同時拓寬了可表征樣品的范圍。

本發明授權一種自支撐薄膜面內熱導率的測量方法在權利要求書中公布了：1.一種自支撐薄膜面內熱導率的測量方法，其特征在于，所述測量方法包括以下步驟： 1根據待測薄膜的關鍵物性參數確定待測薄膜的尺寸和加熱電流的頻率范圍； 2根據步驟1所得待測薄膜的尺寸選取特定尺寸的待測薄膜，并利用所述特定尺寸的待測薄膜和支撐框架制備薄膜-框架復合體； 3在步驟2所得薄膜-框架復合體中待測薄膜的一側表面沉積2條相互平行的導電條，分別為第一導電條和第二導電條，所述第一導電條和第二導電條的寬度分別為30-40μm； 4根據步驟1所得加熱電流的頻率范圍，利用步驟3所得導電條，并基于一維熱傳導模型的數據處理方法，測量得出所述待測薄膜的面內熱導率； 其中，步驟1所述待測薄膜的關鍵物性參數包括待測薄膜的厚度、熱導率數量級與熱擴散率數量級，且所述待測薄膜的尺寸和加熱電流的頻率范圍確定過程基于以下條件： 1.1保證待測薄膜在厚度方向上的熱穿透深度δ⊥5倍于待測薄膜的厚度dM，即為： 對應的加熱電流頻率f1為： 其中，α⊥是待測薄膜在厚度方向上的熱擴散率數量級； 1.2保證待測薄膜在面內方向上的熱穿透深度δ||5倍于導電條的半寬即為： 對應的加熱電流頻率f2為： f2＝α||25πwh 24 其中，α||是待測薄膜在面內方向上的熱擴散率數量級； 1.3假設待測薄膜的面內熱導率κ||呈現各向同性，保證與第一導電條相鄰部分的薄膜在熱導率測量方向上的熱導GM10倍于第一導電條的電流導線及其所貼合的部分薄膜和電壓導線及其所貼合的部分薄膜的熱導Gb，即為： 且， 其中，Lh是第一導電條的長度；是電流電壓導線及其所貼合的部分薄膜構成的復合結構的平均熱導率；κh是電極層的熱導率；dh是電極層的厚度；wi是電流導線的寬度；wv是電壓導線的寬度；Li是電流導線的長度；Lv是電壓導線的長度； 對應的加熱電流頻率f3為： 1.4保證待測薄膜在面內方向上的熱穿透深度δ||15倍于待測薄膜懸空部分的半寬即為： 對應的加熱電流頻率f4為： f4＝25α||πl210 所述確定過程為：加熱電流的頻率上限fmax由f1和f2中的較小值確定，加熱電流的頻率下限fmin由f3和f4中的較大值確定；同時采用以下方法中的任意一種或至少兩種的組合來保證f1和f2均大于f3和f4，并增加fmax和fmin之間頻率窗口的寬度： A通過減小導電條的寬度wh來增加f2； B通過減小電極層的熱導率κh和或電極層的厚度dh來降低f3； C通過增加電流導線的長度Li和或電壓導線的長度Lv來降低f3； D通過增加待測薄膜懸空部分的寬度l來降低f4； 其中，方法C伴隨著增加待測薄膜的縱向尺寸，方法D伴隨著增加待測薄膜的橫向尺寸，即確定待測薄膜的尺寸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人國家納米科學中心，其通訊地址為：100190 北京市海淀區中關村北一條11號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。