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龍圖騰網獲悉華北電力大學申請的專利一種適用于單芯絕緣導線的非接觸式電壓測量方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114814339B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210421768.0，技術領域涉及：G01R19/04；該發明授權一種適用于單芯絕緣導線的非接觸式電壓測量方法是由劉灝;李嘉賢;畢天姝設計研發完成，并于2022-04-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種適用于單芯絕緣導線的非接觸式電壓測量方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種適用于單芯絕緣導線的非接觸式電壓測量方法，利用多層薄膜纏繞待測絕緣導線，重構所述待測絕緣導線的柱狀電場；其中，所述多層薄膜包括探測金屬薄膜和輔助絕緣薄膜；基于所構建的柱狀電場，采用3個傳感器建立電壓測量方程，求解所述電壓測量方程得到所述待測絕緣導線的電壓。上述方法能夠在不斷開電路且不破壞導線絕緣層的條件下實現電壓幅值測量，具有安全、便捷的優點，提高了電壓測量效率。

本發明授權一種適用于單芯絕緣導線的非接觸式電壓測量方法在權利要求書中公布了：1.一種適用于單芯絕緣導線的非接觸式電壓測量方法，其特征在于，所述方法包括： 步驟1、利用多層薄膜纏繞待測絕緣導線，重構所述待測絕緣導線的柱狀電場；其中，所述多層薄膜包括探測金屬薄膜和輔助絕緣薄膜； 在步驟1中，所述待測絕緣導線周圍空間中電場如式1所示： 其中，E為電場強度，方向為徑向；k為單位長度圓柱帶電量；ε為絕緣層的介電系數，r為半徑； 因為電壓是電場沿半徑方向的積分，故有式23： 其中，Ui為需要求解的待測電壓；Uo1為1號傳感器中探測金屬薄膜與接地金屬薄膜間的電壓；R0為絕緣導線內部金屬半徑；R1為絕緣導線外部半徑；R2為探測金屬薄膜外部半徑；R3為輔助絕緣薄膜外部半徑； 聯立式23可得Uo1與Ui之間的關系如下所示： 步驟2、基于步驟1所構建的柱狀電場，采用3個傳感器建立電壓測量方程，求解所述電壓測量方程得到所述待測絕緣導線的電壓； 在步驟2中，利用1號和2號傳感器建立的電壓測量方程為： 其中，探測金屬薄膜厚度為D1；輔助絕緣薄膜厚度為D2；Uo1為1號傳感器中探測金屬薄膜與接地金屬薄膜間的電壓；Uo2為2號傳感器中探測金屬薄膜與接地金屬薄膜間的電壓； 進一步得到需要求解的待測電壓Ui關于絕緣導線外部半徑R1的函數fR1，如式6所示： 當絕緣導線外部半徑R1可測量時，將測量得到的R1代入式6即可得到待測電壓； 當絕緣導線外部半徑R1無法準確測量時，采用3號傳感器增加一個測量方程，此時利用1號和3號傳感器建立的電壓測量方程為式： 其中，探測金屬薄膜厚度為D1；輔助絕緣薄膜厚度為D2；Uo1為1號傳感器中探測金屬薄膜與接地金屬薄膜間的電壓；Uo3為3號傳感器中探測金屬薄膜與接地金屬薄膜間的電壓； 得到一個新的待測電壓Ui關于絕緣導線外部半徑R1的函數gR1，如式8所示： 由于輸入電壓相同，可由式6和8得到以R1為自變量的函數FR1，如式9所示： FR1＝fR1-gR19 該函數FR1在R1領域內單調且連續，采用二分法逐步逼近得到絕緣導線外部半徑R1，再將R1代入式6或8得到待測電壓。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華北電力大學，其通訊地址為：102206 北京市昌平區朱辛莊北農路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。