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龍圖騰網(wǎng)獲悉重慶大學(xué)申請(qǐng)的專利基于熱釋電效應(yīng)的異質(zhì)直接鍵合技術(shù)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114678463B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210280967.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N30/072；該發(fā)明授權(quán)基于熱釋電效應(yīng)的異質(zhì)直接鍵合技術(shù)是由劉玉菲;王鑫微;崔洪源;代付康;李東玲設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本基于熱釋電效應(yīng)的異質(zhì)直接鍵合技術(shù)在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于熱釋電效應(yīng)的異質(zhì)直接鍵合技術(shù)。該發(fā)明公開了該直接鍵合的實(shí)驗(yàn)方法包括以下步驟：提供第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓與所述第二晶圓均至少具有一個(gè)光滑表面，所述第一晶圓具有熱釋電效應(yīng)；將所述第一晶圓的光滑表面放置于所述第二晶圓的光滑表面，使所述第一晶圓與所述第二晶圓構(gòu)成預(yù)鍵合體；對(duì)所述預(yù)鍵合體的上表面和或下表面施加壓力，同時(shí)，對(duì)所述預(yù)鍵合體進(jìn)行加熱；釋放所述預(yù)鍵合體上的壓力，并對(duì)所述預(yù)鍵合體進(jìn)行降溫。該方法可以通過(guò)簡(jiǎn)單的設(shè)備、簡(jiǎn)略的步驟，無(wú)需引用中間層，利用第一晶圓本身的特性使所述第一晶圓與第二晶圓鍵合。

本發(fā)明授權(quán)基于熱釋電效應(yīng)的異質(zhì)直接鍵合技術(shù)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于熱釋電效應(yīng)的異質(zhì)直接鍵合技術(shù)，其特征在于包括以下步驟： S1：提供第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓與所述第二晶圓均至少具有一個(gè)光滑表面，所述第一晶圓具有熱釋電效應(yīng)，所述第一晶圓及所述第二晶圓的熔點(diǎn)在500℃以上； S2：將所述第一晶圓的光滑表面放置于所述第二晶圓的光滑表面，使所述第一晶圓與所述第二晶圓構(gòu)成預(yù)鍵合體； S3：對(duì)所述預(yù)鍵合體的上表面和或下表面施加壓力，使所述第一晶圓與所述第二晶圓之間的壓強(qiáng)在0.025Mpa-0.100Mpa之間，同時(shí)，對(duì)所述預(yù)鍵合體進(jìn)行加熱； S4：釋放所述預(yù)鍵合體上的壓力，并對(duì)所述預(yù)鍵合體進(jìn)行降溫，降溫的執(zhí)行時(shí)間不超過(guò)1小時(shí)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人重慶大學(xué)，其通訊地址為：400044 重慶市沙坪壩區(qū)沙正街174號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。