京東方科技集團股份有限公司楊維獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉京東方科技集團股份有限公司申請的專利顯示基板及其制作方法、顯示面板獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114649349B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210277014.2,技術領域涉及:H10D86/40;該發明授權顯示基板及其制作方法、顯示面板是由楊維設計研發完成,并于2022-03-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本顯示基板及其制作方法、顯示面板在說明書摘要公布了:本申請提供一種顯示基板及其制作方法、顯示面板,屬于顯示技術領域。本申請的顯示基板包括:半導體層設置在襯底基板上,第一薄膜晶體管的有源層位于半導體層;絕緣層,設置在半導體層背離襯底基板的一側;第一導電層,設置在絕緣層背離半導體層的一側,第一薄膜晶體管的源極和漏極均位于第一導電層,第一薄膜晶體管的源極和漏極均為透明電極,并且通過貫穿絕緣層的層間過孔與第一薄膜晶體管的有源層連接;顯示電極設置于第一導電層背離襯底基板的一側,并且與第一薄膜晶體管的源極或漏極電連接。本申請實施例可大幅提高顯示基板的開口率及透過率,從而大幅提高顯示產品的顯示性能。
本發明授權顯示基板及其制作方法、顯示面板在權利要求書中公布了:1.一種顯示基板,其具有顯示區,所述顯示基板包括襯底基板,以及設置在所述襯底基板、且位于所述顯示區的多個像素單元;所述像素單元包括第一薄膜晶體管和顯示電極;其特征在于,所述顯示基板包括: 半導體層,設置在所述襯底基板上,所述第一薄膜晶體管的有源層位于所述半導體層; 絕緣層,設置在所述半導體層背離所述襯底基板的一側;所述絕緣層包括第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層;其中,所述第一絕緣層設置在所述半導體層背離所述襯底基板一側,所述第二絕緣層設置在所述第一絕緣層背離所述半導體層一側,以及所述第三絕緣層設置在第二絕緣層背離所述第一絕緣層的一側; 第一導電層,設置在所述絕緣層背離所述半導體層的一側,所述第一薄膜晶體管的源極和漏極均位于所述第一導電層,所述第一薄膜晶體管的源極和漏極均為透明電極,并且通過貫穿所述絕緣層的層間過孔與所述第一薄膜晶體管的有源層連接; 第三導電層,設置在所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層的一側; 所述顯示電極設置于所述第一導電層背離所述襯底基板的一側,并且與所述第一薄膜晶體管的源極或漏極中的一者電連接; 所述顯示基板還具有非顯示區,所述顯示基板還包括數據線和位于所述非顯示區的驅動電路,所述驅動電路包括第二薄膜晶體管;所述第二薄膜晶體管的源極、漏極以及所述數據線均位于所述第三導電層;所述第一薄膜晶體管的源極或漏極中的另一者通過貫穿所述第三絕緣層的過孔連接; 所述顯示基板還包括設置在第三絕緣層背離所述襯底基板一側的平坦化層,所述平坦化層具有通孔,所述通孔在所述襯底基板上的正投影與所述第一薄膜晶體管有源層在所述襯底基板上的正投影重疊; 所述顯示電極包括有第一子顯示電極及第二子顯示電極,所述第一子顯示電極覆蓋所述通孔的內周壁,并且與所述第一薄膜晶體管的漏極電連接,所述第二子顯示電極層疊且間隔的設置于所述第一子顯示電極及所述平坦化層背離所述襯底基板的一側; 所述顯示基板還包括有鈍化層,所述鈍化層位于所述第一子顯示電極及所述第二子顯示電極之間,并且位于所述平坦化層與所述第二子顯示電極之間; 所述顯示基板還包括支撐結構,所述支撐結構位于所述第二子顯示電極背離所述鈍化層的一側,并且部分位于在所述通孔內。
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