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龍圖騰網獲悉艾司博國際有限公司申請的專利嵌入傳感器或顯示芯片的扇出封裝結構及其封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114758958B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210237171.0，技術領域涉及：H01L21/60；該發明授權嵌入傳感器或顯示芯片的扇出封裝結構及其封裝方法是由方立志設計研發完成，并于2022-03-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本嵌入傳感器或顯示芯片的扇出封裝結構及其封裝方法在說明書摘要公布了：本發明公開嵌入傳感器或顯示芯片的扇出封裝結構及其封裝方法，涉及半導體加工技術領域，包括步驟一：制作芯片級封裝；步驟二：制作扇出型封裝；步驟三：將若干個芯片級封裝與第一玻璃載具進行黏附組裝；步驟四：在各個扇出型封裝的外側加工第二壓模樹脂層，在第二壓模樹脂層制作若干個對應各個扇出型封裝的第三RDL層，最上層第三RDL層的接點處設置有第三銅凸塊，在第三銅凸塊處植錫球，得到初始產品；步驟五：將第一玻璃載具分離，再將初始產品切成單顆。本發明將復數個芯片級封裝嵌入于壓模樹脂，因為復數個芯片級封裝的共面性，不會因后續制程而改變良好的共面性，并且因為多芯片封在同一封裝體，可以使系統的體積縮小。

本發明授權嵌入傳感器或顯示芯片的扇出封裝結構及其封裝方法在權利要求書中公布了：1.嵌入傳感器或顯示芯片的扇出封裝方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟一：制作芯片級封裝（3），并在芯片級封裝（3）的上側加工出錫銅凸塊； 步驟二：制作扇出型封裝（4），并在扇出型封裝（4）上、下兩側分別加工出第二面接點和第一面錫銅接點，在第二面接點的上側加工出第二銅凸塊（49）； 步驟三：將若干個芯片級封裝（3）與第一玻璃載具（1）進行黏附組裝，將各個扇出型封裝（4）的第一面錫銅接點對齊對應芯片級封裝（3）的錫銅凸塊，焊接形成電性導通； 步驟四：在各個芯片級封裝（3）和扇出型封裝（4）的外側加工第二壓模樹脂層（5），在第二壓模樹脂層（5）制作若干個對應各個扇出型封裝（4）的第三RDL層（6）； 步驟五：將第一玻璃載具（1）分離，再將復數顆芯片級封裝（3）和扇出型封裝（4）為一組單位切成單顆，單顆內部含有三組組裝后的芯片級封裝（3）和扇出型封裝（4），完成芯片級封裝（3）嵌入于扇出型封裝（4）的制程后，復數個芯片級封裝（3）嵌入于壓模樹脂。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人艾司博國際有限公司，其通訊地址為：中國香港九龍旺角彌敦道721-725號華比銀行大廈14樓1405B室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。