中國科學院微電子研究所鄒宇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利MEMS紅外光源及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116730276B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210214889.8，技術領域涉及：B81B7/02；該發明授權MEMS紅外光源及其制作方法是由鄒宇;蔣文靜;歐文設計研發完成，并于2022-03-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本MEMS紅外光源及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種MEMS紅外光源及其制作方法，MEMS紅外光源包括：襯底、支撐層、調節發射結構、加熱結構和電極結構；所述調節發射結構包括：第一金屬層、介質層和第二金屬層；所述第一金屬層貼合在所述介質層的下方，所述第二金屬層貼合在所述介質層的上方，所述第一金屬層與所述支撐層連接；所述加熱結構貼合在所述介質層的上方，所述加熱結構與所述第二金屬層間隙配合，所述加熱結構與所述電極結構電連接；所述支撐層與所述襯底連接，所述支撐層用于將調節發射結構固定在襯底上。本發明能夠提高MEMS紅外光源的調制特性。
本發明授權MEMS紅外光源及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種MEMS紅外光源，其特征在于，包括：襯底、支撐層、調節發射結構、加熱結構和電極結構； 所述調節發射結構包括：第一金屬層、介質層和第二金屬層； 所述第一金屬層貼合在所述介質層的下方，所述第二金屬層貼合在所述介質層的上方，所述第一金屬層與所述支撐層連接； 所述加熱結構貼合在所述介質層的上方，所述加熱結構與所述第二金屬層間隙配合，所述加熱結構與所述電極結構電連接； 所述支撐層與所述襯底連接，所述支撐層用于將調節發射結構固定在襯底上。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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