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龍圖騰網獲悉上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利一種RFLDMOS器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114429908B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210104667.0，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種RFLDMOS器件及其制造方法是由遇寒設計研發完成，并于2022-01-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種RFLDMOS器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種RFLDMOS器件及其制造方法，提供襯底，在襯底上形成外延層，在外延層上方生長厚柵氧層，光刻打開源區形成區域、靠源的部分柵極形成區域以及靠柵的部分漂移區形成區域，利用濕法刻蝕工藝去除光刻打開區域的厚柵氧層，并在剩余的厚柵氧層的兩端形成底切，在外延層上方生長薄柵氧層，薄柵氧層和厚柵氧層共同構成階梯型柵氧層，進行后續工藝形成階梯型法拉第屏蔽罩。本發明的階梯型法拉第屏蔽罩，在兼顧擊穿電壓的同時改善了熱載流子性能，降低了法拉第屏蔽罩對地電阻，有效提升了器件的可靠性和頻率特性，使得單層法拉第屏蔽罩能夠達到傳統具有兩層甚至三層法拉第屏蔽罩的效果，減少了法拉第屏蔽罩的光刻層次，簡化了工藝，節省了成本。

本發明授權一種RFLDMOS器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟一、提供襯底，在所述襯底上形成外延層，在所述外延層上方生長厚柵氧層； 步驟二、光刻打開源區形成區域、靠源的部分柵極形成區域以及靠柵的部分漂移區形成區域； 步驟三、利用濕法刻蝕工藝去除源區形成區域、靠源的部分柵極形成區域以及靠柵的部分漂移區形成區域的所述厚柵氧層，并在剩余的所述厚柵氧層的兩端形成底切； 步驟四、在所述源區形成區域、靠源的部分柵極形成區域、靠柵的部分漂移區形成區域的外延層上方生長薄柵氧層，所述薄柵氧層和所述厚柵氧層共同構成階梯型柵氧層； 步驟五、淀積多晶硅并利用光刻刻蝕工藝在所述柵極形成區域形成柵極； 步驟六、在所述外延層內制作體區和漂移區； 步驟七、制作柵極側墻，并在所述體區內形成重摻雜區和源區，在所述漂移區內形成漏區； 步驟八、在所述源區、所述漏區以及所述柵極上形成金屬硅化物； 步驟九、淀積一層介質層，所述介質層覆蓋所述體區、所述漂移區和所述柵極頂部； 步驟十、在所述介質層上方淀積一層法拉第屏蔽層； 步驟十一、利用光刻刻蝕工藝在所述柵極靠近所述漏區的部分上方和所述靠柵的部分漂移區形成區域上方形成法拉第屏蔽罩。

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