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龍圖騰網獲悉深圳大道半導體有限公司申請的專利半導體發光器件及其壓膜方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114628567B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210092574.0，技術領域涉及：H10H20/852；該發明授權半導體發光器件及其壓膜方法是由李剛;鐘偉榮;劉運籌設計研發完成，并于2022-01-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體發光器件及其壓膜方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體發光器件及其壓膜方法，半導體發光器件的壓膜方法包括以下步驟：S1、將半導體發光器件和彈性圍堰定位在下治具上，彈性圍堰設置在半導體發光器件的外圍；S2、將膠液設置在半導體發光器件上并位于彈性圍堰的內圈；S3、上治具向下移動直至抵壓膠液和彈性圍堰的頂部，使得膠液充滿上治具和彈性圍堰之間界定的空間，均勻覆蓋在半導體發光器件上；S4、加熱固化處理，使膠液形成均勻的膠膜層；S5、上治具向上移動，與膠膜層脫離；S6、將帶有膠膜層的半導體發光器件及彈性圍堰一體從下治具取下，切除彈性圍堰。本發明的半導體發光器件的壓膜方法，獲得均勻性好、厚度均勻的膠膜層，提高產品質量；利于多件同時壓膜，提高效率。

本發明授權半導體發光器件及其壓膜方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體發光器件的壓膜方法，其特征在于，利于半導體發光器件多件同時壓膜，所述半導體發光器件的壓膜方法包括以下步驟： S1、將半導體發光器件和彈性圍堰定位在下治具上，并且將所述彈性圍堰設置在所述半導體發光器件的外圍；在所述彈性圍堰的外圍設置輔助圍堰，所述輔助圍堰的高度等于或大于所述彈性圍堰的高度； 所述半導體發光器件包括基板、設置在所述基板第一表面上的半導體發光芯片；所述基板的第二表面朝向并定位在所述下治具上； S2、將膠液設置在所述半導體發光器件上并位于所述彈性圍堰的內圈； 所述膠液在所述半導體發光器件上形成拱起狀態，最高部分的高度高于所述彈性圍堰的高度； 步驟S2之后，還包括：抽真空處理，去除所述膠液內的氣泡；所述抽真空處理為對上治具和所述下治具所處的密閉空間進行抽真空，以此去除膠液內的氣泡； S3、上治具向下移動直至抵壓所述膠液和彈性圍堰的頂部，使得所述膠液充滿所述上治具和所述彈性圍堰之間界定的空間，均勻覆蓋在所述半導體發光器件上；所述下治具上還設有至少一個限位支柱；所述限位支柱位于所述彈性圍堰的外側，所述半導體發光器件的高度＜所述限位支柱的高度＜所述彈性圍堰的高度；所述上治具向下移動至抵接在所述限位支柱上； 所述上治具朝向所述下治具的表面設有凹槽，形成膠液緩存空間，所述上治具向下移動抵壓所述膠液和所述彈性圍堰的頂部后，多余膠液擠壓進入所述膠液緩存空間；當所述膠液溢出所述彈性圍堰時，溢出的膠液部分被限制在所述彈性圍堰和輔助圍堰之間； 所述上治具在抵接所述彈性圍堰的頂部后繼續下壓，使所述彈性圍堰的頂部變形，壓制所述膠液使其充滿整個所述彈性圍堰的內圈空間，確保所述膠液能夠覆蓋整個所述半導體發光器件的表面且覆蓋厚度均勻；所述膠液覆蓋所述基板的第一表面及其上的所述半導體發光芯片； 在所述上治具向下移動之前，所述上治具的壓制區域預先設有離型膜層； S4、加熱固化處理，使所述膠液形成均勻的膠膜層；加熱固化后，所述基板第一表面上的膠膜層的厚度=受壓后的所述彈性圍堰的高度-所述基板的厚度； S5、所述上治具向上移動，與所述膠膜層脫離； S6、將帶有膠膜層的所述半導體發光器件及彈性圍堰一體從所述下治具取下，切除所述彈性圍堰。

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