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龍圖騰網獲悉中國科學技術大學申請的專利模擬均衡器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114448353B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210076521.X，技術領域涉及：H03D7/14；該發明授權模擬均衡器是由雒超;胡思睿;曹剛;郭國平設計研發完成，并于2022-01-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本模擬均衡器在說明書摘要公布了：本公開提供了一種模擬均衡器，該模擬均衡器包括第一輸入模塊、第二輸入模塊及輸出模塊。第一輸入模塊，包括第一輸入單元和第一輸出單元，第一輸入單元用于接收第一外部電壓信號，第一輸出單元用于提供第一電流信號；第二輸入模塊，包括第二輸入單元和第二輸出單元，第二輸入單元用于接收第二外部電壓信號，第二輸出單元用于提供第二電流信號；輸出模塊，與第一輸入模塊和第二輸入模塊相連，用于將第一電流信號和或第二電流信號轉為電壓信號并輸出。

本發明授權模擬均衡器在權利要求書中公布了：1.一種模擬均衡器，包括： 第一輸入模塊，包括第一輸入單元和第一輸出單元，第一輸入單元用于接收第一外部電壓信號，第一輸出單元用于提供第一電流信號，第一輸入單元包括第一INN輸入端和第一INP輸入端； 第二輸入模塊，包括第二輸入單元和第二輸出單元，第二輸入單元用于接收第二外部電壓信號，第二輸出單元用于提供第二電流信號，第二輸入單元包括第二INN輸入端和第二INP輸入端；以及 輸出模塊，與第一輸入模塊和第二輸入模塊相連，用于將第一電流信號和或第二電流信號轉為電壓信號并輸出，輸出模塊包括： 第五PMOS管，源極與第一外部電源連接； 第六PMOS管，源極與第一外部電源連接，第六PMOS管柵極與第五PMOS管柵極連接； 第一級聯PMOS管，源極與第五PMOS管漏極連接； 第二級聯PMOS管，源極與第六PMOS管漏極連接，第二級聯PMOS管柵極與第一級聯PMOS管柵極連接； 第一級聯NMOS管，漏極與第一級聯PMOS管漏極連接； 第二級聯NMOS管，漏極與第二級聯PMOS管漏極連接，第二級聯NMOS管柵極與第一級聯NMOS管連接； 第五NMOS管，漏極與第一級聯NMOS管源極連接，第五NMOS管源極接地； 第六NMOS管，漏極與第二級聯NMOS管源極連接，第六NMOS管柵極與第五NMOS管柵極連接，第六NMOS管源極接地； 負載電容，一端與第一級聯NMOS管漏極連接，另一端與第二級聯NMOS管漏極連接； 兩個等大的負載電阻，兩個等大的負載電阻串聯后一端與第一級聯NMOS管漏極連接，另一端與第二級聯NMOS管漏極連接； P輸出端，與第一級聯NMOS管漏極連接；以及 N輸出端，與第二級聯NMOS管漏極連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學技術大學，其通訊地址為：230026 安徽省合肥市包河區金寨路96號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。