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龍圖騰網獲悉新電元工業株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115000061B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210037592.9，技術領域涉及：H10D84/80；該發明授權半導體裝置是由神田良設計研發完成，并于2022-01-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體裝置，其能夠將整流元件內置在柵極驅動器IC中且不易引發漏電流增加、耐壓降低、元件損壞等不良狀況。其包括：具有p型基板111和n型第一半導體層112的半導體基體110；第一電極120；第二電極130；元件分離膜140；絕緣膜150；以及配置在絕緣膜150上的第三電極160，其中，第一電極120與連接第一電源Vin的第一電路C1電連接，第二電極130與連接第二電源Vcc的第二電路C2電連接，半導體基體110進一步具有p型背柵區域113，該背柵區域113以至少隔著絕緣膜150到達基板111的深度形成在與第三電極160相對的區域并且雜質濃度在1×1010cm?3～1×1015cm?3范圍內。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，包括： 半導體基體，具有第一導電類型的基板、形成在所述基板上的第二導電類型的第一半導體層、以及形成在所述基板上的與所述第一半導體層鄰接區域的第一導電型的背柵區域； 第一電極，配置在所述半導體基體的上方，并與所述半導體基體接觸； 第二電極，配置在所述半導體基體的上方的與所述第一電極分離的位置上，并與所述半導體基體接觸； 元件分離膜，形成在所述半導體基體的表面上的所述第一電極與所述第二電極之間的區域； 絕緣膜，配置在所述半導體基體的表面上的所述第二電極與所述元件分離膜之間；以及 第三電極，配置在所述絕緣膜上， 其中，所述第一電極配置在所述半導體基體的上方的相對于所述元件分離膜與形成有背柵區域的一側相反的一側的位置上， 所述第二電極配置在隔著所述元件分離膜的所述第一電極的相反側的位置上， 所述元件隔離膜配置在所述第一半導體層的中央區域的表面上， 所述第三電極配置在所述絕緣膜上的與所述元件分離膜相接的位置，所述第三電極隔著所述絕緣膜與所述背柵區域的一部分以及所述第一半導體層的一部分相向配置， 所述第一電極與連接到第一電源的第一電路電連接， 所述第二電極與連接到第二電源的第二電路電連接， 所述背柵區域以至少隔著所述絕緣膜到達所述基板的深度形成在與所述第三電極相對的區域，并且其雜質濃度在1×1010cm-3～1×1015cm-3范圍內， 所述半導體基體進一步具有：形成在與所述第二電極連接區域且雜質濃度高于所述第一半導體層的第二導電型的接觸區域、以及形成在包圍所述接觸區域的區域且雜質濃度低于所述接觸區域的第二導電型的半導體區域， 所述背柵區域也形成在所述第二導電型半導體區域與所述基板之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人新電元工業株式會社，其通訊地址為：日本東京都千代田區大手町二丁目2番1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。