中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司嚴(yán)中穩(wěn)獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請(qǐng)的專利光學(xué)鄰近修正方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN116360203B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202111630338.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G03F1/36;該發(fā)明授權(quán)光學(xué)鄰近修正方法是由嚴(yán)中穩(wěn);劉娜設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-12-28向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本光學(xué)鄰近修正方法在說明書摘要公布了:一種光學(xué)鄰近修正方法,包括:提供目標(biāo)版圖,所述目標(biāo)版圖包括若干目標(biāo)圖形;獲取初始版圖,所述初始版圖包括與若干目標(biāo)圖形對(duì)應(yīng)的若干初始圖形;對(duì)所述初始版圖進(jìn)行曝光處理,獲取初始曝光版圖;對(duì)比所述初始曝光版圖與所述目標(biāo)版圖,獲取所述初始曝光版圖中的若干缺陷,并獲取所述若干缺陷對(duì)應(yīng)的若干邊緣放置誤差;根據(jù)所述若干邊緣放置誤差,在若干初始圖形中獲取若干待偏移圖形;基于各待偏移圖形對(duì)應(yīng)的若干邊緣放置誤差,偏移各待偏移圖形,形成初始修正版圖;對(duì)所述初始修正版圖進(jìn)行若干次局部光學(xué)鄰近修正,獲取修正版圖,以減少局部光學(xué)鄰近修正中的EPE缺陷,提高修正版圖的圖形精度。
本發(fā)明授權(quán)光學(xué)鄰近修正方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,包括: 提供目標(biāo)版圖,所述目標(biāo)版圖包括若干目標(biāo)圖形; 獲取初始版圖,所述初始版圖包括與若干目標(biāo)圖形對(duì)應(yīng)的若干初始圖形; 對(duì)所述初始版圖進(jìn)行曝光處理,獲取初始曝光版圖; 對(duì)比所述初始曝光版圖與所述目標(biāo)版圖,獲取所述初始曝光版圖中的若干缺陷,并獲取所述若干缺陷對(duì)應(yīng)的若干邊緣放置誤差; 根據(jù)所述若干邊緣放置誤差,在若干初始圖形中獲取若干待偏移圖形; 基于各待偏移圖形對(duì)應(yīng)的若干邊緣放置誤差,偏移各待偏移圖形,形成初始修正版圖; 對(duì)所述初始修正版圖進(jìn)行若干次局部光學(xué)鄰近修正,獲取修正版圖; 其中,根據(jù)所述若干邊緣放置誤差,在若干初始圖形中獲取若干待偏移圖形的方法包括:根據(jù)與所述若干缺陷對(duì)應(yīng)的若干邊緣放置誤差,在若干初始圖形中獲取對(duì)應(yīng)的若干待修正線段;在若干待修正線段中,獲取滿足預(yù)設(shè)條件的若干第一指定線段、以及與每個(gè)第一指定線段對(duì)應(yīng)的第二指定線段;將若干第一指定線段和若干第二指定線段所在的若干初始圖形,作為若干待偏移圖形。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司,其通訊地址為:201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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