買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116344449B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111581749.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由陳卓凡設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括沿第一方向排列的工作區(qū)和隔離區(qū)，基底包括襯底、以及凸立于襯底且沿第一方向延伸的鰭部，工作區(qū)和隔離區(qū)中的鰭部側(cè)部的襯底中形成有掩埋式電源軌，掩埋式電源軌用于加載第一電位；在柵極開口的側(cè)壁和底部、以及鰭部的頂部和側(cè)壁形成柵介質(zhì)層；在隔離區(qū)中，在掩埋式電源軌的頂部形成貫穿柵介質(zhì)層和隔離層的接觸孔；在柵極開口和接觸孔中形成柵電極層，柵電極層與位于隔離區(qū)中的掩埋式電源軌電連接；在工作區(qū)的柵電極層的頂部形成柵極插塞，柵極插塞用于加載第二電位，第二電位和第一電位為相反電位。簡化工藝步驟，降低了隔離區(qū)中的柵電極層與工作區(qū)中的相鄰部件發(fā)生短接的概率。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括沿第一方向排列的工作區(qū)和隔離區(qū)，所述基底包括襯底、以及凸立于所述襯底且沿所述第一方向延伸的鰭部； 掩埋式電源軌，位于所述工作區(qū)和隔離區(qū)中的所述鰭部側(cè)部的襯底中，所述掩埋式電源軌沿所述第一方向延伸，所述掩埋式電源軌用于加載第一電位； 第一介質(zhì)層，位于所述襯底和掩埋式電源軌頂部，且覆蓋所述鰭部部分側(cè)壁； 第一開口，位于所述隔離區(qū)中，所述第一開口由所述第一介質(zhì)層的側(cè)壁和所述掩埋式電源軌的頂部圍成，且所述第一開口露出所述掩埋式電源軌的頂面； 柵極結(jié)構(gòu)，分別橫跨所述工作區(qū)和隔離區(qū)的鰭部，且所述隔離區(qū)柵極結(jié)構(gòu)用于作為隔斷結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括覆蓋所述鰭部部分頂部和部分側(cè)壁、以及所述第一介質(zhì)層頂部的柵介質(zhì)層，還包括覆蓋所述柵介質(zhì)層的柵電極層，在所述隔離區(qū)中，所述柵電極層和掩埋式電源軌在所述襯底上的投影具有重疊部分，且所述柵電極層位于所述第一開口中，且位于所述隔離區(qū)中的柵電極層貫穿所述掩埋式電源軌頂部的柵介質(zhì)層和第一介質(zhì)層，并與所述掩埋式電源軌電連接； 側(cè)墻，位于所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁； 源漏摻雜層，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部中且遠離側(cè)墻一側(cè)； 第二介質(zhì)層，位于所述柵極結(jié)構(gòu)露出的所述襯底上，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，且所述第二介質(zhì)層的頂部與所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部相齊平； 第二開口，貫穿位于所述源漏摻雜層頂部的第二介質(zhì)層，且所述第二開口露出所述源漏摻雜層的頂面； 源漏互連層，位于所述第二開口中，且所述源漏互連層與源漏摻雜層電連接； 第三介質(zhì)層，位于所述柵極結(jié)構(gòu)和第二介質(zhì)層的頂部； 第三開口，位于所述工作區(qū)中，所述第三開口貫穿所述柵極結(jié)構(gòu)頂部的所述第三介質(zhì)層，且露出所述柵極結(jié)構(gòu)的頂面； 柵極插塞，位于所述第三開口中，所述柵極插塞與所述柵極結(jié)構(gòu)相電連接，所述柵極插塞用于加載第二電位，所述第二電位和第一電位為相反電位。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。