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龍圖騰網獲悉上海集成電路裝備材料產業創新中心有限公司;上海集成電路研發中心有限公司申請的專利RRAM乘加運算電路、方法及模型訓練方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114253510B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111574863.6，技術領域涉及：G06F7/544；該發明授權RRAM乘加運算電路、方法及模型訓練方法是由余學儒;李琛;陳保安;孫紅霞;傅豪設計研發完成，并于2021-12-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本RRAM乘加運算電路、方法及模型訓練方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種RRAM乘加運算電路、方法及模型訓練方法，所述RRAM乘加運算電路控制開關單元、電流鏡單元、至少一個反相器單元、至少一個選擇開關單元和至少一個電阻單元，所述反相器單元用于對輸入的電壓進行反相處理并生成反相電壓，所述電阻單元根據所述反相電壓選擇電阻，所述控制單元通過控制所述電阻單元以調節功耗，所述電流鏡單元用于對所述電阻單元的輸出端進行電流限制以減小電流波動。本發明能夠降低神經網絡電流量化乘加運算的功耗。

本發明授權RRAM乘加運算電路、方法及模型訓練方法在權利要求書中公布了：1.一種RRAM乘加運算電路，其特征在于，包括控制開關單元、電流鏡單元、至少一個反相器單元、至少一個選擇開關單元和至少一個電阻單元，所述反相器單元用于對輸入的電壓進行反相處理并生成反相電壓，所述電阻單元根據所述反相電壓選擇電阻，所述控制開關單元通過控制所述電阻單元以調節功耗，所述電流鏡單元用于對所述電阻單元的輸出端進行電流限制以減小電流波動，其中： 所述電阻單元包括至少一個選擇電阻和至少一個選通開關，所述控制開關單元包括至少一個控制開關；每一個所述電阻單元通過對應連接的選擇開關單元進行控制，所述電阻單元中的每一對連接的選擇電阻和選通開關之間均通過對應連接的控制開關單元進行導通控制，從而實現對選擇開關單元和控制開關單元的共享； 針對一個所述電阻單元，各所述選通開關的輸入端與該電阻單元對應連接的所述反相器單元的輸入端電連接，各所述選通開關的輸出端與對應連接的所述選擇電阻一端電連接，該反相器單元的輸出端與其對應連接的所述選擇開關單元一端電連接，該選擇開關單元的另一端與各選通開關的控制端電連接，一個所述選擇電阻的另一端與一個所述控制開關一端電連接，各所述控制開關另一端與所述電流鏡單元的輸入端電連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海集成電路裝備材料產業創新中心有限公司;上海集成電路研發中心有限公司，其通訊地址為：201800 上海市嘉定區葉城路1288號6幢JT2216室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。