深圳先進技術研究院童佩斐獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳先進技術研究院申請的專利寬禁帶銅鎵硒光吸收層及其制備方法、太陽能電池獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114203842B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111537336.8，技術領域涉及：H10F77/12；該發明授權寬禁帶銅鎵硒光吸收層及其制備方法、太陽能電池是由童佩斐;李文杰;李國嘯;陳志勇;劉旭輝;楊春雷;馮葉;鐘國華;邵龑;李偉民;陳明設計研發完成，并于2021-12-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本寬禁帶銅鎵硒光吸收層及其制備方法、太陽能電池在說明書摘要公布了：本發明提供了一種寬禁帶銅鎵硒光吸收層及其制備方法，所述寬禁帶銅鎵硒光吸收層包括銅鎵硒薄膜層和覆設于銅鎵硒薄膜層上的銦鎵薄膜層，銅鎵硒薄膜層和銦鎵薄膜層的界面經由退火工藝形成有InCu反位缺陷。其制備方法包括：將基底加熱至第一溫度，在基底上共蒸鎵和硒；提高基底的溫度至第二溫度，在基底上共蒸銅和硒；保持基底的溫度為第二溫度，在基底上共蒸銦、鎵和硒；保持基底的溫度為第二溫度，在硒氣氛下對基底進行退火處理，制備獲得寬禁帶銅鎵硒光吸收層。本發明還提供了包括所述寬禁帶銅鎵硒光吸收層的太陽能電池。本發明提供的寬禁帶銅鎵硒光吸收層在具備寬禁帶的基礎上又能獲得更高效率太陽能電池，可以更好地適用于疊層太陽能電池。
本發明授權寬禁帶銅鎵硒光吸收層及其制備方法、太陽能電池在權利要求書中公布了：1.一種寬禁帶銅鎵硒光吸收層，其特征在于，包括銅鎵硒薄膜層和覆設于所述銅鎵硒薄膜層上的銦鎵薄膜層，所述銅鎵硒薄膜層和所述銦鎵薄膜層的界面經由退火工藝形成有InCu反位缺陷，以在晶界面形成了有利于電荷分離和抑制界面復合的再構相結構。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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