天津三安光電有限公司吳志偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉天津三安光電有限公司申請的專利發光二極管及發光裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114651337B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202180005916.4,技術領域涉及:H10H20/821;該發明授權發光二極管及發光裝置是由吳志偉;王燕云;熊偉平;高迪;郭桓邵;彭鈺仁設計研發完成,并于2021-12-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本發光二極管及發光裝置在說明書摘要公布了:本發明涉及半導體技術領域,特別涉及一種發光二極管和發光裝置,本發明提供的發光二極管中,包含有源層的第一臺體通過限定在同等面積下的周長與面積比γ滿足使得在同等的有源層發光面積下,第一臺體的側面暴露出來部分更少,從而減少在小電流發光二極管中因側壁缺陷產生的光吸收以及非輻射復合的問題,此外,非平面的出光面可以提高發光二極管的側壁出光幾率,進一步提高了發光二極管的外部發光效率。
本發明授權發光二極管及發光裝置在權利要求書中公布了:1.一種發光二極管,具有相對上下的第一表面(100)和第二表面(200),所述第一表面(100)包括依次連接的第一側邊、第二側邊、第三側邊、第四側邊,還包括: 外延結構,具有從上到下依次疊層的第一臺體(10a)和第二臺體(10b),所述第一臺體(10a)至少包括第一類型半導體層(11)和有源層(13),所述第二臺體(10b)至少包括第二類型半導體層(12),所述第二臺體(10b)的上表面面積大于或等于所述第一臺體(10a)的下表面面積; 其特征在于: 所述第一臺體(10a)于所述第一表面100所在平面投影的面積為s,其周長與面積比γ滿足≤γ<; 其中,L1為所述第一臺體(10a)的上表面向經過所述第一側邊且垂直于所述第一表面(100)的平面方向的投影長度; 所述第一類型半導體層(11)上設置有第一接觸電極(31),所述第一接觸電極(31)包括第一點狀電極(31a)和兩個第一延伸部(31b),兩個所述第一延伸部(31b)從所述第一點狀電極(31a)開始分別向發光二極管的不同側邊方向延伸; 所述第二類型半導體層(12)上設置有第二接觸電極(32),所述第二接觸電極(32)為點狀電極,或所述第二接觸電極(32)包括第二點狀電極(32a)和兩個第二延伸部(32b),兩個所述第二延伸部(32b)從所述第二點狀電極(32a)開始分別向發光二極管相對的側邊方向延伸; 在垂直于所述發光二極管第一表面(100)且經過所述第四側邊的平面內,所述第二接觸電極(32)在該平面的投影長度小于到第一接觸電極(31)在該平面的投影長度;兩個所述第一延伸部(31b)形成弧形段; 所述第一類型半導體層(11)的厚度為2~5μm,所述有源層(13)的厚度為0.02~0.07μm,第二類型半導體層(12)的厚度為3~11μm; 所述發光二極管的工作電流為0.01mA~1.5mA,尺寸小于300μm。
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