晶澳(揚州)太陽能科技有限公司張俊兵獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉晶澳(揚州)太陽能科技有限公司申請的專利太陽能電池單元及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114005891B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111360026.3，技術領域涉及：H10F77/20；該發明授權太陽能電池單元及其制造方法是由張俊兵;蔣秀林;呂鵬飛設計研發完成，并于2021-11-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本太陽能電池單元及其制造方法在說明書摘要公布了：提供太陽能電池單元和太陽能電池單元的制造方法。該太陽能電池單元包括：硅基體；鈍化介質層，其設置在硅基體上；第一硅層、第二硅層和第三硅層，其依次設置在鈍化介質層的背向硅基體的表面上并彼此直接接觸；以及金屬接觸電極，其設置在第一硅層的背向鈍化介質層的一側。
本發明授權太陽能電池單元及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種太陽能電池單元，包括： 硅基體1； 鈍化介質層2，其設置在所述硅基體1上； 第一硅層3、第二硅層4和第三硅層5，其依次設置在所述鈍化介質層2的背向所述硅基體1的表面上并彼此直接接觸；以及 金屬接觸電極7，其設置在所述第一硅層3的背向所述鈍化介質層2的一側， 所述第一硅層3為摻雜的多晶硅層， 所述第二硅層4為未摻雜的微晶硅層、非晶硅層、多態硅層中的一種或者多種的單層或疊層， 所述第三硅層5為摻雜的微晶硅層、非晶硅層、多態硅層中的一種或者多種的單層或疊層，并且 所述第一硅層3和所述第三硅層5具有相同的摻雜類型，所述摻雜類型為n型或p型。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶澳(揚州)太陽能科技有限公司，其通訊地址為：225009 江蘇省揚州市經濟開發區建華路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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