西安電子科技大學重慶集成電路創新研究院王利明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學重慶集成電路創新研究院申請的專利用金屬納米顆粒修飾的Ge納米柱光電探測器及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114388649B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111294721.4，技術領域涉及：H10F30/227；該發明授權用金屬納米顆粒修飾的Ge納米柱光電探測器及制備方法是由王利明;張寧寧;胡輝勇;王博;張一馳;楊茂龍;郝躍凱設計研發完成，并于2021-11-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本用金屬納米顆粒修飾的Ge納米柱光電探測器及制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了用金屬納米顆粒修飾的Ge納米柱光電探測器及制備方法，其特征在于，包括：底部電極；本征Ge襯底層，覆蓋所述底部電極；多個Ge納米柱，呈周期性的排布于所述本征Ge襯底層上；所述Ge納米柱的表面吸附有金屬納米顆粒；所述金屬的功函數大于4.46eV；石墨烯電極，覆蓋在所述多個Ge納米柱上，并和所述本征Ge襯底層間隔非導電的介質材料。本發明提供的用金屬納米顆粒修飾的Ge納米柱光電探測器，暗電流小、光電流以及響應度較高，具有較高的探測性能。
本發明授權用金屬納米顆粒修飾的Ge納米柱光電探測器及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種用金屬納米顆粒修飾的Ge納米柱光電探測器，其特征在于，包括： 底部電極； 本征Ge襯底層，覆蓋所述底部電極； 多個Ge納米柱，呈周期性的排布于所述本征Ge襯底層上；所述Ge納米柱的表面吸附有金屬納米顆粒；所述金屬的功函數大于4.46eV； 石墨烯電極，覆蓋在所述多個Ge納米柱上，并和所述本征Ge襯底層間隔非導電的介質材料； 所述Ge納米柱的直徑和高度以及相鄰Ge納米柱之間的間隔距離，是基于所述Ge納米柱光電探測器的探測光波的波長進行仿真確定的； 當所述Ge納米柱光電探測器是工作波段覆蓋1.55微米的紅外光電探測器時，所述Ge納米柱的直徑為700納米，高度為450納米；所述間隔距離為55納米。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學重慶集成電路創新研究院，其通訊地址為：401332 重慶市沙坪壩區西永微電園研發樓3期1號樓1單元；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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