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龍圖騰網(wǎng)獲悉南亞科技股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114373761B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111159007.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法是由施江林;林育廷設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-09-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法在說(shuō)明書摘要公布了：提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括硅基板、埋藏字線、主動(dòng)區(qū)、隔離區(qū)及氮化物柱。硅基板具有載體表面。埋藏字線埋藏在硅基板中。主動(dòng)區(qū)及隔離區(qū)位于載體表面上。氮化物柱分別設(shè)置于隔離區(qū)。主動(dòng)區(qū)與隔離區(qū)沿第一方向排列。埋藏字線沿第二方向延伸。氮化物柱位于隔離區(qū)中的埋藏字線下方。亦提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。本揭示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可借由埋藏字線下方的氮化物柱來(lái)減少字線干擾。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含： 硅基板，具有載體表面； 復(fù)數(shù)個(gè)埋藏字線，埋藏在該硅基板中； 復(fù)數(shù)個(gè)主動(dòng)區(qū)，位于該載體表面上； 復(fù)數(shù)個(gè)隔離區(qū)，位于該載體表面上；及 復(fù)數(shù)個(gè)氮化物柱，分別設(shè)置于該復(fù)數(shù)個(gè)隔離區(qū)， 其中該復(fù)數(shù)個(gè)主動(dòng)區(qū)與該復(fù)數(shù)個(gè)隔離區(qū)沿第一方向排列，并且該復(fù)數(shù)個(gè)埋藏字線沿第二方向延伸，并且該復(fù)數(shù)個(gè)氮化物柱位于該復(fù)數(shù)個(gè)隔離區(qū)中的該復(fù)數(shù)個(gè)埋藏字線下方，其中在每一埋藏字線中，該復(fù)數(shù)個(gè)氮化物柱的頂表面與該硅基板的上表面沿該第二方向?qū)R。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人南亞科技股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新北市泰山區(qū)南林路98號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。