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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及半導體結構的形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115513176B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202110701059.3，技術領域涉及：H01L23/538；該發(fā)明授權半導體結構及半導體結構的形成方法是由張?zhí)锾镌O計研發(fā)完成，并于2021-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及半導體結構的形成方法，結構包括：襯底，所述襯底包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述襯底上具有第一介質層和第一導電層，所述第一導電層位于第一區(qū)上的第一介質層內；位于第一介質層和第一導電層上的停止層；位于第二區(qū)上的第二導電層，所述第二導電層的材料與第一導電層的材料不同，所述第二導電層位于停止層上；位于第一介質層上和第二導電層上的第二介質層，所述第二介質層內具有第一開口和第二開口，所述第一開口暴露出部分第一導電層頂部表面和停止層側壁表面，所述第二開口暴露出部分第二導電層頂部表面；位于第二開口底部表面的增強層；位于第一開口內和第二開口內的電連接層。所述半導體結構的性能得到提升。

本發(fā)明授權半導體結構及半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述襯底上具有第一介質層和第一導電層，所述第一導電層位于第一區(qū)上的第一介質層內； 位于第一介質層和第一導電層上的停止層； 位于第二區(qū)上的第二導電層，所述第二導電層的材料與第一導電層的材料不同，所述第二導電層位于停止層上； 位于第一介質層上和第二導電層上的第二介質層，所述第二介質層內具有第一開口和第二開口，所述第一開口暴露出部分第一導電層頂部表面和停止層側壁表面，所述第二開口暴露出部分第二導電層頂部表面； 位于第二開口底部表面的增強層； 位于第一開口內和第二開口內的電連接層，所述電連接層在增強層上的生長速率大于在第二導電層上的生長速率，以減小所述電連接層在增強層上的生長速率與在第一導電層上的生長速率差距。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。