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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會社;仁川大學(xué)教產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)申請的專利用于填充間隙的方法和設(shè)備以及通過該方法實現(xiàn)的器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113818009B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110653245.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/455；該發(fā)明授權(quán)用于填充間隙的方法和設(shè)備以及通過該方法實現(xiàn)的器件是由趙恩亨;H.李;李成熙;李政燁;C.T.阮設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-06-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于填充間隙的方法和設(shè)備以及通過該方法實現(xiàn)的器件在說明書摘要公布了：提供了通過使用原子層沉積ALD方法來填充間隙的方法和設(shè)備以及通過該方法實現(xiàn)的器件。該方法包括通過將反應(yīng)抑制劑吸附到間隙的側(cè)壁上而形成第一反應(yīng)抑制層、通過將第一反應(yīng)物吸附到間隙的底部和間隙的在間隙的底部周圍的側(cè)壁上而形成第一前體層、以及在間隙的底部和間隙的在間隙的底部周圍的側(cè)壁上形成第一原子層。反應(yīng)抑制劑包括不與第二反應(yīng)物反應(yīng)的前體材料。第一反應(yīng)抑制層可以具有其中反應(yīng)抑制劑的密度朝向間隙的底部減小的密度梯度。形成第一原子層包括將第二反應(yīng)物吸附到第一前體層上。

本發(fā)明授權(quán)用于填充間隙的方法和設(shè)備以及通過該方法實現(xiàn)的器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種使用原子層沉積ALD填充形成在基板上的間隙的方法，所述方法包括： 通過將反應(yīng)抑制劑吸附到所述間隙的側(cè)壁上而形成第一反應(yīng)抑制層，所述反應(yīng)抑制劑包括不與第二反應(yīng)物反應(yīng)的前體材料，所述第一反應(yīng)抑制層具有其中所述反應(yīng)抑制劑的密度朝向所述間隙的底部減小的密度梯度； 通過將第一反應(yīng)物吸附到所述間隙的所述底部和所述間隙的在所述間隙的所述底部周圍的側(cè)壁上而形成第一前體層；以及 在所述間隙的所述底部和所述間隙的在所述間隙的所述底部周圍的所述側(cè)壁上形成第一原子層，形成所述第一原子層包括將所述第二反應(yīng)物吸附到所述第一前體層上， 其中所述反應(yīng)抑制劑包括中心金屬和環(huán)戊二烯基Cp配體、所述中心金屬和五甲基環(huán)戊二烯基Cp*配體、HftBuO4、HfOiPr4或HfOtBuNEtMe3。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會社;仁川大學(xué)教產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。