中國科學院寧波材料技術與工程研究所戴貽鈞獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院寧波材料技術與工程研究所申請的專利一種HEMT器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115472500B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110655788.X，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種HEMT器件及其制備方法是由戴貽鈞;郭煒;葉繼春設計研發完成，并于2021-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種HEMT器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種HEMT器件及其制備方法，該方法包括：獲得具有橫向極性結構層的襯底，其中，橫向極性結構層包括在遠離襯底方向上依次層疊的圖形化結晶層、緩沖層、溝道層、勢壘層；采用濕法刻蝕方式刻蝕未與圖形化結晶層對應的溝道層和勢壘層，形成三維溝道結構；制備源電極、漏電極，并在三維溝道結構的上表面制備柵電極，得到HEMT器件。本申請在襯底上形成有圖形化結晶層、緩沖層、溝道層、勢壘層，與圖形化結晶層對應的緩沖層、溝道層、勢壘層為金屬極性膜層，未與圖形化結晶層對應的為氮極性膜層，采用濕法刻蝕方式刻蝕氮極性膜層中的溝道層和勢壘層，濕法刻蝕界面平整光滑，避免等離子體刻蝕帶來的離子損傷問題，并能縮短工藝時間。
本發明授權一種HEMT器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種HEMT器件制備方法，其特征在于，包括： 獲得具有橫向極性結構層的襯底，其中，所述橫向極性結構層包括在遠離所述襯底方向上依次層疊的圖形化結晶層、緩沖層、溝道層、勢壘層； 采用濕法刻蝕方式刻蝕未與所述圖形化結晶層對應的所述溝道層和所述勢壘層，形成三維溝道結構； 制備源電極、漏電極，并在所述三維溝道結構的上表面制備柵電極，得到HEMT器件。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院寧波材料技術與工程研究所，其通訊地址為：315201 浙江省寧波市鎮海區莊市大道519號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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