買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115132842B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110328178.9，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法是由蘇博;何超;亞伯拉罕·庾設計研發完成，并于2021-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，結構包括：襯底，襯底上具有若干平行排列的鰭部結構；位于襯底上的柵極結構、位于柵極結構兩側鰭部結構內的源漏摻雜區以及第二絕緣層，源漏摻雜區內具有第一離子，柵極結構橫跨鰭部結構且位于第二絕緣層內；位于第二絕緣層內的金屬層，金屬層延伸方向與鰭部結構排列方向相同，金屬層位于源漏摻雜區上；位于第二絕緣層內和鰭部結構內的第一隔離結構，第一隔離結構延伸方向與鰭部結構排列方向相同，第一隔離結構位于相鄰金屬層之間。位于第二絕緣層內的第二隔離結構，第二隔離結構延伸方向與鰭部結構排列方向相同，第二隔離結構位于第一隔離結構上，且與第二隔離結構位于相鄰的金屬層之間。所述結構性能得到提升。

本發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底上具有若干平行排列的鰭部結構和第一絕緣層，所述第一絕緣層位于鰭部結構側壁且第一絕緣層的頂部平面低于所述鰭部結構頂部表面； 位于襯底上的柵極結構以及位于柵極結構兩側鰭部結構內的源漏摻雜區，所述源漏摻雜區內具有第一離子，所述柵極結構橫跨所述鰭部結構； 位于襯底上的第二絕緣層，所述柵極結構位于所述第二絕緣層內，且所述第二絕緣層頂部平面高于所述柵極結構頂部平面； 位于第二絕緣層內的金屬層，所述金屬層的延伸方向與所述鰭部結構的排列方向相同，所述金屬層位于源漏摻雜區上并且與源漏摻雜區電連接； 位于第二絕緣層內和鰭部結構內的第一隔離結構，所述第一隔離結構的延伸方向與所述鰭部結構的排列方向相同，所述第一隔離結構位于相鄰的金屬層之間； 位于襯底內的第二隔離結構，所述第二隔離結構內具有第二離子，所述第二離子的導電類型與第一離子的導電類型相反，所述第二隔離結構的延伸方向與所述鰭部結構的排列方向相同，所述第一隔離結構位于第二隔離結構上，所述第一隔離結構和第二隔離結構位于相鄰的金屬層之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。