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龍圖騰網(wǎng)獲悉大連芯冠科技有限公司申請的專利一種提高GaN HEMT垂直方向抗擊穿能力的封裝結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113161417B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110272449.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)一種提高GaN HEMT垂直方向抗擊穿能力的封裝結(jié)構(gòu)是由劉晨陽;王榮華;任永碩;梁輝南設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-03-12向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種提高GaN HEMT垂直方向抗擊穿能力的封裝結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種提高GaNHEMT垂直方向抗擊穿能力的封裝結(jié)構(gòu)，包括：GaNHEMT，所述GaNHEMT的源極、漏極和柵極三電極均位于第一表面，與所述第一表面相對的第二表面設(shè)置襯底；雙面覆金屬陶瓷基板，所述雙面覆金屬陶瓷基板的上表面金屬層通過焊料與GaNHEMT的襯底相連；還包括：第一電阻和第二電阻，所述第一電阻的一端與GaNHEMT的漏極相連、另一端與所述雙面覆金屬陶瓷基板的上表面金屬層相連，第二電阻的一端與所述雙面覆金屬陶瓷基板的上表面金屬層相連，另一端與GaNHEMT源極相連。本發(fā)明主要利用電阻實現(xiàn)襯底電壓的調(diào)節(jié)，實現(xiàn)GaNHEMT漏極與襯底壓差、源極與襯底壓差的優(yōu)化電壓分配，進而提高GaNHEMT垂直方向上的抗擊穿能力。

本發(fā)明授權(quán)一種提高GaN HEMT垂直方向抗擊穿能力的封裝結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種提高GaNHEMT垂直方向抗擊穿能力的封裝結(jié)構(gòu)，包括： GaNHEMT，所述GaNHEMT的源極、漏極和柵極三電極均位于第一表面，與所述第一表面相對的第二表面設(shè)置襯底； 雙面覆金屬陶瓷基板，所述雙面覆金屬陶瓷基板的上表面金屬層通過焊料與GaNHEMT的襯底相連； 其特征在于，還包括： 第一電阻和第二電阻，所述第一電阻的一端與GaNHEMT的漏極相連、另一端與所述雙面覆金屬陶瓷基板的上表面金屬層相連，第二電阻的一端與所述雙面覆金屬陶瓷基板的上表面金屬層相連，另一端與GaNHEMT源極相連。

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