浙江馳拓科技有限公司徐曉波獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江馳拓科技有限公司申請的專利一種MRAM讀寫電壓的校準電路及其校準方法、MRAM獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114678058B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011555229.3，技術領域涉及：G11C29/50；該發明授權一種MRAM讀寫電壓的校準電路及其校準方法、MRAM是由徐曉波;吳愛龍;王龍波;熊保玉設計研發完成，并于2020-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種MRAM讀寫電壓的校準電路及其校準方法、MRAM在說明書摘要公布了：本發明提供了一種MRAM讀寫電壓的校準電路及其校準方法、MRAM，該校準電路包括設置在MRAM內的發送控制模塊、電源管理模塊、比較校驗模塊。發送控制模塊依次配置Trim值，將每次配置好的Trim值傳輸給電源管理模塊；電源管理模塊對Trim值解析出讀寫電壓值，將讀寫電壓值傳輸給比較校驗模塊；比較校驗模塊比較解析的讀寫電壓值與校準讀寫電壓值是否相等，向發送控制模塊發送表征比較結果的反饋信號；發送控制模塊在接收到表征讀寫電壓值與校準讀寫電壓值相等的反饋信號時，停止配置Trim值，保存與校準讀寫電壓值相等的讀寫電壓值對應的Trim值。能夠將讀寫電壓自修調至預期狀態，在芯片內部自行檢測MRAM讀寫電壓并自動調整Trim值，直至讀寫電壓達到校準讀寫電壓值。
本發明授權一種MRAM讀寫電壓的校準電路及其校準方法、MRAM在權利要求書中公布了：1.一種MRAM讀寫電壓的校準電路，其特征在于，包括設置在所述MRAM內的發送控制模塊、電源管理模塊及比較校驗模塊；其中， 所述發送控制模塊依次配置Trim值，并將每次配置好的Trim值傳輸給所述電源管理模塊； 所述電源管理模塊對接收到的Trim值解析出讀寫電壓值，并將解析出的讀寫電壓值傳輸給所述比較校驗模塊； 所述比較校驗模塊比較所述電源管理模塊解析的讀寫電壓值與校準讀寫電壓值是否相等，并向所述發送控制模塊發送表征比較結果的反饋信號； 所述發送控制模塊在接收到表征所述讀寫電壓值與校準讀寫電壓值相等的反饋信號時，停止配置Trim值，并保存與所述校準讀寫電壓值相等的讀寫電壓值對應的Trim值。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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