聯華電子股份有限公司周志飆獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利半導體元件結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114679150B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011545152.1，技術領域涉及：H03H9/02；該發明授權半導體元件結構及其制造方法是由周志飆設計研發完成，并于2020-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體元件結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種半導體元件結構及其制造方法，其中該半導體元件結構包括電路基板。第一金屬塊層設置在所述電路基板上。緩沖層設置在所述第一金屬會層上。吸收層設置在所述緩沖層上。第一電極層設置在所述吸收層上。多個壓電材料單元設置在所述第一電極層。保護層共形地設置在所述多個壓電材料單元上。第二金屬塊層設置在所述多個壓電材料單元的上方，包括第一部件與第二部件。所述第一部件穿過所述保護層設置在所述多個壓電材料單元上，當作第二電極層。所述第二部件與所述第一部件同高度，且至少電連接到所述第一電極層。
本發明授權半導體元件結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體元件結構，其特征在于，包括: 電路基板； 第一金屬塊層，設置在所述電路基板上； 緩沖層，設置在所述第一金屬塊層上； 吸收層，設置在所述緩沖層上； 第一電極層，設置在所述吸收層上； 多個壓電材料單元，設置在所述第一電極層上； 保護層，覆蓋所述多個壓電材料單元的整個側壁；以及 第二金屬塊層，設置在所述多個壓電材料單元的上方，包括: 第一部件，通過所述保護層設置在所述多個壓電材料單元上，當作第二電極層；以及 第二部件，與所述第一部件同高度，且至少電連接到所述第一電極層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人聯華電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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