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龍圖騰網獲悉斯坦雷電氣株式會社申請的專利垂直諧振器型發光元件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114946092B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080092170.0，技術領域涉及：H01S5/183；該發明授權垂直諧振器型發光元件是由倉本大設計研發完成，并于2020-12-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本垂直諧振器型發光元件在說明書摘要公布了：提供了一種發光效率高的垂直諧振器型發光元件。本發明的特征在于具有：基板；形成在基板上的第一多層薄膜反射鏡；半導體結構層，其包括形成在第一多層薄膜反射鏡上的第一導電類型的第一半導體層、形成在第一半導體層上的發光層以及與第一導電類型相反的第二導電類型并且形成在發光層上的第二半導體層；電極層，其形成在半導體結構層的上表面上，并在上表面的一個區域中與半導體結構層的第二半導體層電接觸；以及第二多層薄膜反射鏡，其形成為覆蓋電極層上的一個區域，并且與第一多層薄膜反射鏡構成諧振器，半導體結構層具有一個凹陷結構，所述一個凹陷結構包括在圍繞一個區域的區域中從上表面穿透發光層的一個或更多個凹部。

本發明授權垂直諧振器型發光元件在權利要求書中公布了：1.一種垂直腔體發光元件，所述垂直腔體發光元件包括： 氮化鎵基半導體基板； 第一多層反射器，由氮化物半導體制成的所述第一多層反射器形成在所述基板上； 半導體結構層，所述半導體結構層包括第一半導體層、有源層和第二半導體層，由具有第一導電類型的氮化物半導體制成的所述第一半導體層形成在所述第一多層反射器上，由氮化物半導體制成的所述有源層形成在所述第一半導體層上，所述第二半導體層形成在所述有源層上并且由具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型的氮化物半導體制成； 第一電極層，所述第一電極層與所述半導體結構層的所述第一半導體層電接觸； 第二電極層，所述第二電極層形成在所述半導體結構層的上表面上，所述第二電極層在所述上表面的一個區域中與所述半導體結構層的所述第二半導體層電接觸；以及 第二多層反射器，所述第二多層反射器形成為覆蓋所述第二電極層上的所述一個區域，所述第二多層反射器與所述第一多層反射器構成諧振器， 其中，所述半導體結構層具有一個凹陷結構，所述一個凹陷結構包括一個或多個凹陷部，所述一個或多個凹陷部在圍繞所述一個區域的區域中從所述上表面穿過所述有源層，并且 其中，當從與所述半導體結構層的平面內方向垂直的方向觀察時，所述凹陷結構被設置為與所述第二多層反射器交疊。

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