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龍圖騰網獲悉南通尚陽通集成電路有限公司申請的專利溝槽柵功率器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114582863B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011379469.2，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權溝槽柵功率器件是由曾大杰設計研發完成，并于2020-12-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本溝槽柵功率器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種溝槽柵功率器件，在半導體襯底上形成有多個柵極溝槽且各柵極溝槽和各臺面區交替排列；在柵極溝槽中形成有第一導電材料層，和源區接觸的第一通孔設置在臺面區頂部，第一通孔的第一側的第一導電材料層連接到柵極以及第二側的第一導電材料層的頂部連接到源極；第一通孔和第一側的柵極溝槽具有第一間距以及和第二側的柵極溝槽具有第二間距，第二間距小于第一間距的結構。本發明結合溝槽柵的第一導電材料層的電極連接設置以及臺面區的源區頂部的通孔的設置，能使臺面區的寬度所能達到的最小值縮小，從而能縮小臺面區的寬度并從而縮小柵極溝槽和臺面區形成的步進，從而能提高器件的性能。

本發明授權溝槽柵功率器件在權利要求書中公布了：1.一種溝槽柵功率器件，其特征在于： 在半導體襯底上形成有多個柵極溝槽，在各所述柵極溝槽之間的所述半導體襯底組成臺面區，各所述柵極溝槽和各所述臺面區交替排列，由一個所述柵極溝槽和相鄰的一個所述臺面區組成單元結構； 在所述柵極溝槽中形成有第一導電材料層，在所述第一導電材料層和所述柵極溝槽的側面之間間隔有柵介質層； 溝道區形成于各所述臺面區的所述半導體襯底表面，各所述柵極溝槽穿過所述溝道區； 源區形成于所述溝道區的表面； 層間膜覆蓋在形成有所述源區的所述臺面區以及形成有所述第一導電材料層的所述柵極溝槽區域的表面上； 在所述層間膜中形成有穿過所述層間膜的通孔； 在所述層間膜的表面形成有由正面金屬層圖形化后形成的柵極和源極； 所述通孔包括設置在所述臺面區頂部的第一通孔，所述第一通孔的底部和所述源區接觸且所述第一通孔的底部穿過所述源區和所述溝道區接觸，所述第一通孔的頂部和所述源極連接； 各所述第一通孔的兩側分別具有一個所述第一導電材料層，所述第一通孔的第一側的所述第一導電材料層的頂部通過對應的所述通孔連接到所述柵極，所述第一通孔的第二側的所述第一導電材料層的頂部通過對應的所述通孔連接到所述源極； 所述第一通孔和第一側的所述柵極溝槽具有第一間距，所述第一通孔和第二側的所述柵極溝槽具有第二間距，所述第二間距小于所述第一間距； 所述第一間距受到所述第一通孔和第一側的所述柵極溝槽的對準工藝偏差的限制以及所述第一間距受到所述第一通孔和第一側的所述柵極溝槽的最小間距值的限制，所述第一間距大于所述最小間距值時所述第一通孔的第一側的所述柵極溝槽側面的所述溝道區的閾值電壓不受影響；所述第一間距的版圖設計值大于等于所述第一通孔和第一側的所述柵極溝槽的對準工藝偏差和所述最小間距值的和； 所述第二間距不受到所述第一通孔和第二側的所述柵極溝槽的最小間距值的限制，所述第二間距保證在所述第一通孔和第二側的柵極溝槽發生對準偏差后，所述第一通孔的第一側位于所述臺面區以及所述第一通孔的第二側位于所述臺面區或所述第一通孔的第二側的所述柵極溝槽的形成區域； 所述臺面區的寬度為所述第一間距、所述第一通孔的寬度和所述第二間距的和，通過縮小所述第二間距來縮小所述臺面區的寬度，從而減少所述單元結構的步進。

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