英特爾公司H·M·邁爾獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉英特爾公司申請的專利用于高級集成電路結構制造的連續柵極和鰭狀物間隔體獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109860175B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811297674.7，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權用于高級集成電路結構制造的連續柵極和鰭狀物間隔體是由H·M·邁爾;A·圖拉;B·何;S·喬希;M·L·哈藤多夫;C·P·奧特設計研發完成，并于2018-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于高級集成電路結構制造的連續柵極和鰭狀物間隔體在說明書摘要公布了：本公開的實施例屬于高級集成電路結構制造的領域，并且具體而言屬于10納米節點和更小的集成電路結構制造和所得結構的領域。在示例中，一種集成電路結構包括鰭狀物。絕緣結構與鰭狀物的下鰭狀物部分的側壁直接相鄰。第一柵極電極在上鰭狀物部分之上和絕緣結構的第一部分之上。第二柵極電極在上鰭狀物部分之上和絕緣結構的第二部分之上。第一電介質間隔體沿第一柵極電極的側壁。第二電介質間隔體沿第二柵極電極的側壁，該第二電介質間隔體在絕緣結構的在第一柵極電極和第二柵極電極之間的第三部分之上與第一電介質間隔體連續。
本發明授權用于高級集成電路結構制造的連續柵極和鰭狀物間隔體在權利要求書中公布了：1.一種集成電路結構，包括： 包括硅的鰭狀物，所述鰭狀物具有下鰭狀物部分和上鰭狀物部分； 與所述鰭狀物的所述下鰭狀物部分的側壁直接相鄰的絕緣結構； 在所述上鰭狀物部分之上和所述絕緣結構的第一部分之上的第一柵極電極； 在所述上鰭狀物部分之上和所述絕緣結構的第二部分之上的第二柵極電極； 沿所述第一柵極電極的側壁的第一電介質間隔體；以及 沿所述第二柵極電極的側壁的第二電介質間隔體，所述第二電介質間隔體在所述絕緣結構的在所述第一柵極電極和所述第二柵極電極之間的第三部分之上與所述第一電介質間隔體連續； 其中，所述第一電介質間隔體與所述第二電介質間隔體的組合的部分與所述絕緣結構的所述第三部分的非平坦的最上表面共形。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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