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龍圖騰網獲悉中芯南方集成電路制造有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551442B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011335002.8，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權半導體結構及其形成方法是由張斌;劉中元設計研發完成，并于2020-11-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，包括：襯底；位于襯底上的若干第一鰭部結構，所述第一鰭部結構包括沿第一方向平行排布的第一鰭部和第二鰭部、以及沿第二方向平行排布的第三鰭部和第四鰭部，所述第三鰭部連接所述第一鰭部和所述第二鰭部的一側端部，所述第四鰭部連接所述第一鰭部和所述第二鰭部的另一側端部。該結構的所述第一鰭部結構的體積較大，使得在所述第一鰭部結構兩側所形成的第一源漏開口的表面積增大。當所述第一源漏開口的表面積增大后，在第一源漏開口內形成的所述第一源漏摻雜層的體積也相應增大，進而使得所述第一源漏摻雜層內摻入的第一源漏離子增多，以此提升所述第一源漏摻雜層之間的電流，使得最終形成的半導體結構的性能提升。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括第一區； 位于所述第一區上的若干第一鰭部結構，所述第一鰭部結構包括沿第一方向平行排布的第一鰭部和第二鰭部、以及沿第二方向平行排布的第三鰭部和第四鰭部，所述第一方向和所述第二方向垂直，所述第三鰭部連接所述第一鰭部和所述第二鰭部的一側端部，所述第四鰭部連接所述第一鰭部和所述第二鰭部的另一側端部； 位于所述襯底上的第一柵極結構，所述第一柵極結構沿所述第一方向橫跨所述第一鰭部和所述第二鰭部，所述第三鰭部和所述第四鰭部分別位于所述第一柵極結構的兩側； 位于所述第一柵極結構兩側的第一鰭部結構內的第一源漏開口； 位于所述第一源漏開口內的第一源漏摻雜層，所述第一源漏摻雜層內具有第一源漏離子；其中， 所述第一鰭部結構的形成方法包括：在所述第一區上形成第一核心層，所述第一核心層內具有若干第一開口，所述第一開口暴露出所述襯底的頂部表面；在所述第一開口和第一核心層的側壁、以及所述第一核心層和襯底的頂部表面形成鰭部材料層；回刻蝕所述鰭部材料層，直至暴露出所述第一核心層和襯底的頂部表面為止，形成初始第一鰭部結構；去除位于所述第一核心層側壁的所述鰭部材料層，形成所述第一鰭部結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯南方集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號3號樓5樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。