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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114388442B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011118118.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由韓秋華;紀世良設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-10-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述形成方法包括：提供襯底，襯底表面形成有堆疊層，堆疊層表面包括掩膜層，堆疊層包括依次交替分布的溝道層和犧牲層；刻蝕掩膜層、堆疊層，形成分立的第一鰭片和第二鰭片；在第一鰭片和第二鰭片間填充第一介質(zhì)層，在第一鰭片和第二鰭片側(cè)壁形成第二介質(zhì)層；回刻蝕第一介質(zhì)層，至第一介質(zhì)層表面低于堆疊層的頂部，形成第一開口；刻蝕第一開口側(cè)壁的堆疊層和掩膜層，形成第二開口；在第二開口中填充第三介質(zhì)層，第一介質(zhì)層和第三介質(zhì)層構(gòu)成第一鰭片和第二鰭片間的介電墻。本申請技術(shù)方案能夠增大Forksheet器件在N型器件和P型器件圖形化時的工藝窗口。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底表面形成有堆疊層，所述堆疊層表面包括掩膜層，所述堆疊層包括依次交替分布的溝道層和犧牲層； 刻蝕所述掩膜層、堆疊層，形成分立的第一鰭片和第二鰭片； 在所述第一鰭片和所述第二鰭片間填充第一介質(zhì)層，在所述第一鰭片和所述第二鰭片側(cè)壁形成第二介質(zhì)層； 回刻蝕所述第一介質(zhì)層，至所述第一介質(zhì)層表面低于所述堆疊層的頂部，形成第一開口； 刻蝕所述第一開口側(cè)壁的堆疊層和掩膜層，形成第二開口； 在所述第二開口中填充第三介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層和所述第三介質(zhì)層構(gòu)成所述第一鰭片和所述第二鰭片間的介電墻。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。