株式會社賽奧科思;住友化學株式會社市川磨獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社賽奧科思;住友化學株式會社申請的專利半導體裝置和結構體的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114467183B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080069088.6，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權半導體裝置和結構體的制造方法是由市川磨;堀切文正;福原昇設計研發完成，并于2020-10-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置和結構體的制造方法在說明書摘要公布了：半導體裝置具有：襯底；形成于襯底上，由Ⅲ族氮化物構成的Ⅲ族氮化物層；形成于Ⅲ族氮化物層的凹部，Ⅲ族氮化物層具有：溝道層；形成于溝道層上，在所述溝道層形成二維電子氣體的阻擋層，阻擋層具有：由氮化鋁鎵構成的第1層；形成于第1層上，由添加有n型雜質的氮化鋁鎵構成的第2層，凹部通過除去第2層的厚度的全部或一部分而形成，在凹部的下方，配置有第1層的厚度的至少一部分。
本發明授權半導體裝置和結構體的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其具有： 襯底； 形成于所述襯底上，由Ⅲ族氮化物構成的Ⅲ族氮化物層； 形成于所述Ⅲ族氮化物層的凹部， 所述Ⅲ族氮化物層具有： 溝道層； 形成于所述溝道層上，在所述溝道層形成二維電子氣體的阻擋層， 所述阻擋層具有： 由氮化鋁鎵構成的非導電性的第1層； 形成于所述第1層上，由添加有n型雜質的氮化鋁鎵構成的導電性的第2層， 所述凹部，通過除去所述第2層的厚度的全部或一部分而形成，在所述凹部的下方，配置有所述第1層的厚度的至少一部分， 通過由原子力顯微鏡觀察所述凹部底面的1000nm見方的區域所測量到的所述底面的算術平均粗糙度Ra為0.4nm以下。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社賽奧科思;住友化學株式會社，其通訊地址為：日本茨城縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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