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龍圖騰網獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利半導體結構的制備方法及半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114256131B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011007792.7，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權半導體結構的制備方法及半導體結構是由楊斌;李春旭;劉晨晨;黃剛;黃宇;曹瑞彬設計研發完成，并于2020-09-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構的制備方法及半導體結構在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體結構的制備方法及半導體結構，包括：提供襯底，于所述襯底的上表面形成第一圖形化掩膜層，基于所述第一圖形化掩膜層刻蝕所述襯底，以于所述襯底內形成淺溝槽；于所述淺溝槽的側壁及底部形成襯墊層；于所述襯底內形成環繞所述淺溝槽四周的第一漂移區及位于所述淺溝槽正下方的第二漂移區，其中，通過控制所述第一圖形化掩膜層的厚度及離子注入的能量使得所述第一漂移區的摻雜濃度與所述第二漂移區的摻雜濃度不同；對所得結構進行退火處理；于所述淺溝槽內形成介質層，所述介質層填滿所述淺溝槽。本申請能夠在保證制成半導體器件的高耐壓值的情況下降低器件的導通電阻，并減少了工藝流程步驟。

本發明授權半導體結構的制備方法及半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供襯底，于所述襯底的上表面形成第一圖形化掩膜層，基于所述第一圖形化掩膜層刻蝕所述襯底，以于所述襯底內形成淺溝槽； 于所述淺溝槽的側壁及底部形成襯墊層； 于所述襯底的上表面形成第二圖形化掩膜層，所述第二圖形化掩膜層內形成有第二開口圖形，所述第二開口圖形定義出第一漂移區及第二漂移區的位置及形狀； 基于所述第二圖形化掩膜層對所述襯底進行離子注入，以于所述襯底內形成環繞所述淺溝槽四周的所述第一漂移區及位于所述淺溝槽正下方的所述第二漂移區；其中，通過控制所述第一圖形化掩膜層的厚度及離子注入的能量，以利用所述第一圖形化掩膜層的阻擋，使得所述第一漂移區的摻雜濃度小于所述第二漂移區的摻雜濃度； 對所得結構進行退火處理的同時，對所述第一漂移區及所述第二漂移區進行高溫推阱； 于所述淺溝槽內形成介質層，所述介質層填滿所述淺溝槽。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫華潤上華科技有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市國家高新技術產業開發區新洲路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。