中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司于海龍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114203627B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010911164.5，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構的形成方法是由于海龍;荊學珍;張浩;張田田;孟晉輝設計研發完成，并于2020-09-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有介質層，且所述介質層內具有暴露出基底表面的開口；在所述開口底部和部分側壁表面形成阻擋層，且所述阻擋層的頂部表面低于所述介質層的頂部表面；在所述開口內形成導電層，且所述導電層位于所述阻擋層表面。由于位于部分開口側壁表面的阻擋層的高度已滿足具體工藝需求，使得形成導電層之后，不需要對阻擋層進行刻蝕工藝，從而減少了對導電層造成的刻蝕損傷，有利于提高形成的導電層的形貌，進而提高形成的半導體結構的性能。
本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有介質層，且所述介質層內具有暴露出基底表面的開口； 在所述開口底部和部分側壁表面形成阻擋層，且所述阻擋層的頂部表面低于所述介質層的頂部表面； 在所述開口內形成導電層，且所述導電層位于所述阻擋層表面；所述導電層的頂部表面且低于所述介質層的頂部表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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