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龍圖騰網(wǎng)獲悉朗姆研究公司申請(qǐng)的專利用于控制掩模形狀并打破選擇性與工藝裕度權(quán)衡的多態(tài)RF脈沖獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114342049B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080059513.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/311；該發(fā)明授權(quán)用于控制掩模形狀并打破選擇性與工藝裕度權(quán)衡的多態(tài)RF脈沖是由尼基爾·多樂;維克拉姆·維拉蘇爾·斯瓦米納坦;姜蓓蓓;梅雷特·王設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-08-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于控制掩模形狀并打破選擇性與工藝裕度權(quán)衡的多態(tài)RF脈沖在說明書摘要公布了：一種用于在等離子體處理系統(tǒng)中對(duì)襯底進(jìn)行蝕刻處理的方法，該方法包括：將源RF功率和偏置RF功率施加到電極，其中源RF功率和偏置RF功率是一起定義多個(gè)多態(tài)脈沖RF循環(huán)的脈沖信號(hào)，每個(gè)循環(huán)具有第一狀態(tài)、第二狀態(tài)和第三狀態(tài)；其中第一狀態(tài)由具有第一源RF功率電平的源RF功率和具有第一偏置RF功率電平的偏置RF功率定義；其中第二狀態(tài)由源RF功率和具有基本上為零的功率電平的偏置RF功率定義；以及其中第三狀態(tài)由具有小于第一源RF功率電平的第二源RF功率電平的源RF功率，以及具有基本上為零的功率電平的偏置RF功率定義。

本發(fā)明授權(quán)用于控制掩模形狀并打破選擇性與工藝裕度權(quán)衡的多態(tài)RF脈沖在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于在等離子體處理系統(tǒng)中在襯底上蝕刻具有高縱橫比的特征的蝕刻處理方法，所述方法包括： 將源RF功率施加到所述等離子體處理系統(tǒng)的電極；以及 向所述電極施加偏置RF功率； 其中所述源RF功率和所述偏置RF功率是一起定義多個(gè)多態(tài)脈沖RF循環(huán)的脈沖信號(hào)，每個(gè)循環(huán)具有第一狀態(tài)、第二狀態(tài)和第三狀態(tài)； 其中所述第一狀態(tài)由具有第一源RF功率電平的所述源RF功率和具有第一偏置RF功率電平的所述偏置RF功率定義； 其中所述第二狀態(tài)由具有基本上為零的功率電平的所述源RF功率和具有基本上為零的功率電平的所述偏置RF功率定義； 其中所述第三狀態(tài)由具有第二源RF功率電平的所述源RF功率以及具有基本上為零的功率電平的所述偏置RF功率定義，其中所述第二源RF功率電平小于所述第一源RF功率電平； 其中所述第一狀態(tài)被配置為實(shí)現(xiàn)對(duì)所述襯底的表面上的特征的蝕刻； 其中所述第二狀態(tài)被配置為實(shí)現(xiàn)對(duì)所述襯底的所述表面上的所述特征的鈍化；以及 其中所述第三狀態(tài)被配置為實(shí)現(xiàn)在所述特征中形成頸部的材料的去除。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國(guó)加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。