聯華電子股份有限公司邱久容獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利半導體元件及其制作方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113903764B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010645970.2,技術領域涉及:H10B61/00;該發明授權半導體元件及其制作方法是由邱久容;馮雅圣;曾奕銘;施易安;陳禹鈞;李怡慧;朱中良;胡修豪設計研發完成,并于2020-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體元件及其制作方法在說明書摘要公布了:本發明公開一種半導體元件及其制作方法,其中該制作半導體元件的方法為,首先形成一金屬間介電層于基底上,然后形成一凹槽于金屬間介電層內,形成一合成反鐵磁層于該凹槽內,形成一金屬層于合成反鐵磁層上,平坦化金屬層以及合成反鐵磁層以形成一金屬內連線,再形成一磁性隧道結magnetictunnelingjunction,MTJ于金屬內連線上。
本發明授權半導體元件及其制作方法在權利要求書中公布了:1.一種制作半導體元件的方法,其特征在于,包含: 形成金屬間介電層于基底上; 形成凹槽于該金屬間介電層內; 形成合成反鐵磁層于該凹槽內; 形成金屬層于該合成反鐵磁層上;以及 平坦化該金屬層以及該合成反鐵磁層以形成金屬內連線于該基底上;以及 形成磁性隧道結magnetictunnelingjunction,MTJ于該金屬內連線上。
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